BSS84DW-7是一种N沟道小信号MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),常用于模拟和数字电路中的开关或放大功能。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和良好的电气性能,适合在高频和低功耗应用中使用。
BSS84DW-7采用SOT23封装形式,这种小型化封装使其非常适合空间受限的电路设计。其主要特点包括高击穿电压、低漏电流和出色的温度稳定性。
最大漏源电压:50V
最大栅源电压:±20V
最大漏极电流:0.15A
导通电阻:500Ω
栅极电荷:1nC
工作温度范围:-55℃至+150℃
1. 低导通电阻确保了高效的功率传输和较低的能耗。
2. 快速开关能力使得该器件适用于高频电路。
3. 小型SOT23封装节省了PCB板上的空间。
4. 高击穿电压提供了更强的耐压能力,增强了器件的可靠性。
5. 工作温度范围广,能够在极端环境下稳定运行。
6. 极低的漏电流保证了静态功耗的最小化。
BSS84DW-7广泛应用于各种电子设备中,例如便携式设备、消费电子产品、工业控制和通信系统。具体应用领域包括:
1. 开关电源中的同步整流器。
2. 电池管理系统的负载开关。
3. 数字电路中的逻辑电平转换。
4. 信号调理电路中的开关功能。
5. 过流保护和短路保护电路。
6. 各种传感器接口电路中的开关元件。
BSS84P, BSS138, 2N7000