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BSS84DW-7 发布时间 时间:2025/5/27 18:51:11 查看 阅读:13

BSS84DW-7是一种N沟道小信号MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),常用于模拟和数字电路中的开关或放大功能。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和良好的电气性能,适合在高频和低功耗应用中使用。
  BSS84DW-7采用SOT23封装形式,这种小型化封装使其非常适合空间受限的电路设计。其主要特点包括高击穿电压、低漏电流和出色的温度稳定性。

参数

最大漏源电压:50V
  最大栅源电压:±20V
  最大漏极电流:0.15A
  导通电阻:500Ω
  栅极电荷:1nC
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

1. 低导通电阻确保了高效的功率传输和较低的能耗。
  2. 快速开关能力使得该器件适用于高频电路。
  3. 小型SOT23封装节省了PCB板上的空间。
  4. 高击穿电压提供了更强的耐压能力,增强了器件的可靠性。
  5. 工作温度范围广,能够在极端环境下稳定运行。
  6. 极低的漏电流保证了静态功耗的最小化。

应用

BSS84DW-7广泛应用于各种电子设备中,例如便携式设备、消费电子产品、工业控制和通信系统。具体应用领域包括:
  1. 开关电源中的同步整流器。
  2. 电池管理系统的负载开关。
  3. 数字电路中的逻辑电平转换。
  4. 信号调理电路中的开关功能。
  5. 过流保护和短路保护电路。
  6. 各种传感器接口电路中的开关元件。

替代型号

BSS84P, BSS138, 2N7000

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BSS84DW-7参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)50V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C130mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 欧姆 @ 100mA,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds45pF @ 25V
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装SOT-363
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BSS84DWDITR