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KDV1471 发布时间 时间:2025/12/28 14:59:35 查看 阅读:10

KDV1471是一种常用的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电源管理和开关电路中。这款MOSFET具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关特性,适合用于DC-DC转换器、负载开关、马达控制器以及电池管理系统等应用。KDV1471采用先进的工艺制造,确保了在高频率和高负载条件下的稳定性和可靠性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流:12A
  最大漏源电压:30V
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值)
  栅极电荷:28nC(典型值)
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

KDV1471的主要特性包括低导通电阻,使其在导通状态下损耗较小,提高了系统的整体效率。其高电流承载能力允许在较大的负载条件下稳定运行,而不易过热或损坏。此外,该器件具有快速的开关速度,使得其适用于高频开关应用,如开关电源(SMPS)和同步整流器。KDV1471的栅极电荷较低,有助于减少开关过程中的能量损耗,从而提高效率并减少发热。该器件还具有良好的热稳定性,能够在高温环境下长时间工作而不影响性能。此外,其紧凑的TO-252封装形式不仅节省空间,还便于散热设计,适合高密度电路布局。

应用

KDV1471广泛应用于多种电源管理与功率控制电路中,例如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池充电器、马达驱动器、负载开关、电源管理系统(如笔记本电脑、平板电脑和智能手机)以及工业自动化设备中的功率开关模块。其优异的导通性能和开关特性使其成为高效率、高可靠性电源系统中的理想选择。

替代型号

Si4410BDY-T1-GE3, IRFZ44N, FDS4410A

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