时间：2025/8/25 3:24:13
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FDD6504P 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及马达控制等领域。该器件采用先进的平面沟槽工艺制造，具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和良好的热稳定性。FDD6504P 封装为 TO-252（DPAK），便于在 PCB 上安装和散热。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：120A（在 Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
功耗（Pd）：160W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
FDD6504P 具备多项优异特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。其次，该 MOSFET 的最大漏极电流高达 120A，适合用于高电流应用场景。此外，它具备良好的热稳定性，能够在高功率密度环境下稳定工作。
该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），适用于多种驱动电路设计。封装采用 TO-252（DPAK）形式，便于焊接和散热管理，适合表面贴装工艺。FDD6504P 还具有快速开关特性，减少了开关损耗，适用于高频应用场合。
此外，FDD6504P 内部设计优化，具有较强的抗雪崩能力和过热保护功能，提高了器件在严苛工作条件下的可靠性和寿命。
FDD6504P 广泛应用于多种电力电子系统中，例如：DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、马达驱动电路、电源分配系统以及工业自动化控制设备。其高电流能力和低导通电阻也使其成为汽车电子系统（如车载充电器、电动助力转向系统等）中的理想选择。
FDD6504P 可以考虑的替代型号包括：FDD6508、FDD6500、SiR142DP、IRF1404、FDMS7680、STMIR44R0F
