TBK706300HHE 时间：2025/8/7 5:47:50 阅读：36

TBK706300HHE 是一款由东芝（Toshiba）公司推出的功率晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该器件主要用于高功率应用，例如电源管理、电机控制和工业设备中的开关电路。TBK706300HHE设计用于在高电压和大电流条件下可靠运行，同时保持较低的导通损耗和快速的开关特性，以提高整体系统效率。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：60A
　　最大漏源电压：300V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.22Ω
　　栅极阈值电压：2V至4V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220

特性

TBK706300HHE具备多项优异的电气和热性能特性，使其成为高功率应用的理想选择。其主要特点包括低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高能效。此外，该器件的高耐压能力（300V漏源电压）确保了其在高压环境中的稳定运行。
　　另一个关键特性是它的栅极阈值电压范围（2V至4V），允许在较低的控制电压下工作，从而提高了与现代微控制器和驱动电路的兼容性。该MOSFET还具有快速的开关速度，从而降低了开关损耗，并在高频应用中表现出色。
　　为了保证长期运行的可靠性，TBK706300HHE采用了TO-220封装，提供了良好的散热性能。这种封装形式能够有效地将热量从芯片传导到外部散热片，从而保持器件在高负载条件下的温度稳定。此外，其封装材料具有良好的机械强度和电气绝缘性能，适合在多种工业环境中使用。
　　这款MOSFET还具备较高的抗雪崩能力和短路耐受能力，能够在极端条件下提供额外的保护。这些特性使得TBK706300HHE不仅适用于标准的电源开关应用，还可以用于需要高可靠性和耐久性的严苛环境。