时间：2025/9/2 2:49:21
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HY57V561620CLT-H 是由现代（Hyundai）半导体公司推出的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片采用CMOS技术制造，具有高速数据存取能力和低功耗特性，适用于需要大量数据缓存和快速响应的电子设备。这款DRAM芯片采用TSOP（Thin Small Outline Package）封装，便于在各种电路板上进行安装和布局。HY57V561620CLT-H通常用于计算机内存、嵌入式系统、工业控制设备以及网络通信设备中。
容量：256Mbit
组织方式：16M x 16
工作电压：2.3V ~ 3.6V
访问时间：5.4ns（最大）
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
封装类型：TSOP
引脚数：54
时钟频率：最大可达166MHz
数据速率：166MHz
HY57V561620CLT-H 是一款高性能的DRAM芯片，具有出色的存取速度和稳定性。其主要特性包括高速数据访问、低功耗设计、宽电压范围和宽温工作范围。
该芯片支持高速数据传输，访问时间仅为5.4ns，能够满足高速系统的需求。同时，它的工作电压范围较宽（2.3V至3.6V），使得它能够适应不同的电源环境。此外，HY57V561620CLT-H的工作温度范围为-40°C至+85°C，具备良好的环境适应能力，适合在各种工业和通信应用中使用。
这款DRAM芯片的组织方式为16M x 16，提供了较大的数据存储能力，能够支持复杂系统的内存需求。其TSOP封装形式不仅体积小巧，还具有良好的散热性能和电气特性，有助于提高整体系统的稳定性。
HY57V561620CLT-H 广泛应用于需要高性能内存支持的电子设备中。典型的应用包括嵌入式系统、工业自动化设备、网络路由器和交换机、视频处理设备以及测试与测量仪器等。由于其高速存取能力和良好的环境适应性，HY57V561620CLT-H 也常用于通信基础设施设备和高可靠性工业控制系统中。
HY57V561620CLT-H 的替代型号包括：IS42S16400J-6T和CY7C1380C-133AXC。这些型号在功能和性能上相近，可以作为替代方案使用。
