晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　集电极-基极电压（Vcbo）：50V
　　发射极-基极电压（Vebo）：5V
　　集电极电流（Ic）：150mA
　　功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 150°C
　　电流增益（hFE）：110-800（根据不同档位）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　饱和电压（Vce(sat)）：最大0.2V（Ic=150mA, Ib=15mA）

KDS196/P 晶体管以其高可靠性和稳定的性能而闻名，适用于各种通用电子电路设计。
　　该晶体管的核心特性之一是其宽范围的电流增益（hFE），通常在110到800之间，具体取决于分档（如O档、Y档、GR档、BL档等），这使得它能够适应不同电路对增益的需求。
　　此外，KDS196/P 的过渡频率（fT）高达100MHz，表明其在高频应用中也具有良好的响应能力，适合用于射频（RF）放大或高速开关电路。
　　该晶体管的饱和电压（Vce(sat)）非常低，典型值为0.2V，这有助于降低功耗并提高能效，特别是在开关应用中。
　　KDS196/P 的TO-92封装形式使其易于手工焊接和安装，广泛应用于原型设计和小批量生产中。
　　该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，确保其在极端环境下的稳定运行，适合工业级应用要求。

KDS196/P 晶体管广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　在数字电路中作为开关元件，控制LED、继电器、小型电机等负载。
　　在模拟电路中作为放大器使用，例如音频放大、信号调理等。
　　用于电源管理电路，如DC-DC转换器中的开关元件。
　　在传感器接口电路中作为信号放大或缓冲器。
　　在嵌入式系统中用于驱动MOSFET或IGBT等功率器件。
　　适用于消费类电子产品、工业控制系统、汽车电子、通信设备等多个领域。

2N3904, BC547, 2SC1815, PN2222A