Y1112-S 时间：2025/12/27 18:42:11 阅读：12

Y1112-S是一款由上海荣湃半导体有限公司（RPI）生产的高性能、低成本的单通道隔离式栅极驱动器芯片。该器件专为驱动MOSFET、IGBT以及SiC MOSFET等功率开关器件而设计，广泛应用于工业电机控制、开关电源、逆变器、新能源发电和电动汽车等领域。Y1112-S采用荣湃独有的智能分压技术（iCoupler? 类似技术），实现了输入与输出之间的电气隔离，具备高隔离耐压、高共模瞬态抗扰度（CMTI）和低传播延迟等优点。其封装形式为SOP-8宽体封装，符合UL1577和VDE0884-10等国际安全标准，提供高达5000VRMS的隔离电压能力，确保系统在高压环境下的安全稳定运行。该芯片工作温度范围为-40°C至+125°C，适合在严苛工业环境下使用。此外，Y1112-S内部集成了欠压锁定（UVLO）、故障保护和互锁逻辑等功能，提升了系统的可靠性和安全性。由于其高度集成化设计，Y1112-S可显著减少外围元器件数量，简化电路布局，提高整体系统效率和可靠性。

参数

类型：单通道隔离栅极驱动器
　　通道数：1
　　供电电压（VDD1）：2.7V ~ 5.5V
　　输出侧供电电压（VDD2）：10V ~ 30V
　　峰值输出电流：2.5A
　　传播延迟时间：典型值60ns
　　上升时间（tr）：典型值15ns
　　下降时间（tf）：典型值15ns
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：±150kV/μs
　　隔离电压（VIORM）：1200VPEAK
　　隔离电压（VISOL）：5000VRMS（1分钟）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：SOP-8（宽体，爬电距离 > 8mm）
　　安全认证：符合UL1577、IEC/EN/DIN EN 60747-17标准

特性

Y1112-S的核心优势在于其采用的智能分压隔离技术，这项技术通过电容分压原理实现信号跨隔离层传输，相比传统光耦方案具有更高的传输速度、更长的寿命和更低的功耗。该技术使得Y1112-S能够实现极低的传播延迟（典型60ns）和极小的延迟匹配偏差，从而支持高频开关应用，如高频DC-DC转换器和高频电机驱动器。同时，高达±150kV/μs的共模瞬态抗扰度（CMTI）保证了在高噪声干扰环境中信号传输的稳定性，有效防止误触发导致的桥臂直通问题，提升系统安全性。
　　该芯片的输出级设计优化了驱动能力，提供2.5A的峰值拉灌电流，能够快速充放电MOSFET栅极电荷，降低开关损耗，提升系统能效。内置的欠压锁定（UVLO）功能可监测输出侧供电电压，当电压低于设定阈值时自动关闭输出，防止因电源不稳定导致的功率器件非饱和导通。此外，Y1112-S具备出色的温度稳定性，在-40°C至+125°C全温范围内性能变化小，适用于高温工业环境或密闭空间散热不良的应用场景。
　　SOP-8宽体封装不仅提供了良好的散热性能，还满足高压应用所需的爬电距离和电气间隙要求，增强了系统的绝缘可靠性。Y1112-S无需外部驱动电阻或缓冲电路即可直接驱动中等功率的IGBT或MOSFET模块，大幅简化了PCB布局设计。其低静态电流和高效的电平转换机制也使其在待机或轻载状态下保持低功耗，有助于实现绿色节能目标。整体而言，Y1112-S是一款集高性能、高可靠性与高集成度于一体的现代隔离驱动解决方案。

应用

Y1112-S适用于各类需要电气隔离的功率开关驱动场合。在工业自动化领域，常用于伺服驱动器、变频器和PLC输出模块中的IGBT/MOSFET驱动，确保控制器与高压主电路之间的安全隔离。在新能源系统中，该芯片可用于光伏逆变器、储能系统和风电变流器的功率级驱动，支持高效能量转换并提高系统整体可靠性。在电动汽车相关应用中，Y1112-S可应用于车载充电机（OBC）、DC-DC变换器和电机控制器中，作为半桥或全桥拓扑结构的低端或高端驱动单元。
　　此外，Y1112-S也广泛用于各类开关电源设备，如服务器电源、通信电源和工业电源模块，特别是在LLC谐振变换器、有源钳位反激（ACF）和图腾柱PFC电路中表现优异。其快速响应能力和高CMTI特性使其能够在高di/dt和dv/dt环境下稳定工作，避免因电磁干扰引发误动作。在家电领域，如变频空调、洗衣机和冰箱压缩机控制中，Y1112-S也能提供可靠的驱动支持，延长设备使用寿命。
　　对于需要功能安全认证的设计，Y1112-S的高可靠性设计和符合国际标准的隔离性能，使其成为构建符合IEC 61508、IEC 62368等安全规范系统的理想选择。同时，其兼容性强，可替代市场上主流的光耦驱动方案（如HCPL-3120、HCPL-316J等），帮助用户实现产品升级和性能提升。