KDR784 时间：2025/12/28 15:03:07 阅读：27

KDR784 是一款由 KEC（韩国电子部件公司）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于各种电源管理应用中。该器件采用先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适合在开关电源、DC-DC 转换器和负载开关等场合使用。KDR784 通常采用 TO-252（DPAK）封装，具备良好的热性能和可靠性。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：4.3 A
　　最大漏源电压（VDS）：30 V
　　最大栅源电压（VGS）：20 V
　　导通电阻（RDS(on)）：28 mΩ @ VGS = 10 V
　　栅极电荷（Qg）：14 nC
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装：TO-252（DPAK）

特性

KDR784 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有较低的导通电阻，有助于减少导通损耗并提高整体效率。其低 RDS(on) 特性使其非常适合用于高电流应用，如电源管理模块和负载开关。该器件的 TO-252 封装提供了良好的散热性能，确保在高功率操作下的稳定性。
　　KDR784 的栅极电荷较低，能够实现快速开关动作，从而降低开关损耗，提高系统效率。此外，其较高的栅源电压耐受能力（20 V）使得该器件在使用过程中具备更高的安全裕量，防止因电压尖峰而导致的损坏。该器件的工作温度范围较宽（-55°C 至 150°C），适合在各种环境条件下稳定运行。
　　在可靠性方面，KDR784 设计用于高可靠性和长期稳定运行，适用于工业级和消费类电子产品。其结构和封装设计确保了良好的抗热疲劳能力和机械强度，适合在严苛的工况下使用。