VND5050K 时间：2025/4/25 17:44:46 阅读：57

VND5050K是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252封装形式。这款器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景中，能够提供高效的开关性能和较低的导通电阻。其高耐压特性和低损耗设计使其成为众多功率转换应用的理想选择。
　　该器件的最大漏源极电压可达50V，同时具备优秀的开关速度和热稳定性，适用于工业级及消费类电子产品的功率管理部分。

参数

最大漏源极电压：50V
　　连续漏极电流：56A
　　导通电阻：1.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
　　栅极电荷：47nC（典型值）
　　输入电容：1090pF（典型值）
　　功耗：185W（在θja=1.5°C/W条件下）
　　工作温度范围：-55°C至+175°C

特性

VND5050K具有非常低的导通电阻，从而降低了传导损耗，提高了整体效率。此外，该器件还具有快速开关能力，能有效减少开关损耗，并且具备良好的热稳定性和抗雪崩能力。
　　由于采用了先进的制造工艺，VND5050K能够在高频工作条件下保持高效表现。其小型化的TO-252封装也使得它非常适合于空间受限的应用场合。
　　VND5050K支持大电流操作，特别适合用于负载切换、同步整流以及各类功率调节电路中。同时，它的宽工作温度范围确保了在极端环境下的可靠运行。

应用

VND5050K广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管
　　2. DC-DC转换器中的功率开关
　　3. 电机驱动电路中的功率级
　　4. 各类电池保护系统
　　5. 汽车电子设备中的负载切换
　　6. 工业自动化设备中的功率控制
　　凭借其强大的电气性能和可靠性，VND5050K已成为现代电力电子设计中不可或缺的元件之一。