时间：2025/9/1 15:02:53
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IS61QDP2B24M18A-333M3L 是由Integrated Silicon Solution（ISSI）制造的一款高速双端口同步SRAM（静态随机存取存储器）。该器件具有24Mbit的存储容量，采用18位数据总线宽度，并支持同步操作。此型号的封装为165-TSOP，适用于需要高性能和高可靠性的应用。
容量：24Mbit
组织方式：18位 x 131072
访问时间：3.3ns
工作电压：2.3V - 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：165-TSOP
接口类型：同步双端口
IS61QDP2B24M18A-333M3L 是一款高性能的同步双端口SRAM，其核心特性包括高速数据访问、低功耗设计和双端口独立访问能力。
首先，该器件的访问时间仅为3.3ns，支持高达166MHz的时钟频率，适用于需要快速数据处理的应用场景，如网络设备、通信系统和工业控制设备。
其次，该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V，具备良好的电源适应性，并在不同电压条件下保持稳定的性能。此外，其低功耗设计在高速运行时仍能有效控制功耗，适合对能耗敏感的应用环境。
该器件的双端口结构允许两个独立端口同时访问存储器，提高了系统的并发处理能力。每个端口都具有独立的地址、数据和控制信号，确保高效的数据交换和处理。
IS61QDP2B24M18A-333M3L 的工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，可在严苛环境中稳定运行。其165-TSOP封装形式提供了良好的散热性能和机械稳定性，适用于紧凑型电子设备。
IS61QDP2B24M18A-333M3L 主要用于需要高速数据存取和双端口操作的系统中。典型应用包括网络交换机和路由器中的数据缓存、工业控制系统中的实时数据处理、图像处理设备中的帧缓存以及通信设备中的协议处理等。
由于其高速同步操作特性，该芯片特别适合用于高性能嵌入式系统中的临时数据存储和高速缓存。在图像处理领域，它可用于存储高分辨率图像帧，支持快速读写操作，提高图像处理效率。
此外，该芯片的双端口架构使其能够用于多处理器系统中，作为共享内存使用，实现多个处理器之间的数据交换和同步。这在需要多任务并行处理的系统中非常有用，如工业自动化控制、高端消费电子设备和车载电子系统。
IS61QDP2B24M18B-333M3L, IS61QDP2B24M18A-333M3L
