时间：2025/9/12 17:13:40
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KDR730E-RTK是一款由Kec Corporation（KEC）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的平面条形技术，具有较低的导通电阻和较高的效率，适用于DC-DC转换器、电机控制、电源开关等多种应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：20V
连续漏极电流（Id）：60A
导通电阻（Rds(on)）：0.018Ω（最大值）
功耗（Pd）：134W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
KDR730E-RTK的主要特性之一是其低导通电阻，能够在高电流负载下保持较低的功率损耗，从而提高整体系统的效率。其Rds(on)在最大工作条件下仅为0.018Ω，使其适用于高功率密度设计。
此外，该MOSFET采用TO-252封装，具有良好的热性能，能够在较高工作温度下稳定运行。封装设计便于焊接和安装，适用于表面贴装技术（SMT），广泛应用于现代电源管理系统。
KDR730E-RTK还具有较高的栅极抗静电能力，增强了器件在复杂电磁环境中的稳定性。其20V的栅源电压允许在较宽的驱动电压范围内工作，提高了设计的灵活性。
该器件还具备较高的耐受短时过载能力，适用于需要瞬态响应的应用场景，如电动工具、电动车辆、DC-DC变换器等。
KDR730E-RTK常用于各类电源管理系统中，包括DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器和电源管理模块。其高效率和低导通电阻的特性使其成为高性能电源解决方案的理想选择。此外，它也广泛应用于工业自动化设备、电动工具、LED照明驱动器和消费类电子产品中。
Si730DP, IRF7309, AO4406, IPD70P03P4-03
