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KGF75N65KDF-U/H 发布时间 时间:2025/5/24 18:57:21 查看 阅读:16

KGF75N65KDF-U/H 是一款高性能的 N 沣道绝缘栅双极晶体管(IGBT),适用于高频、高压和高功率的应用场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通损耗和开关损耗的特点,适合于工业控制、电机驱动、逆变器等领域。
  这款 IGBT 的封装形式为 H-TO-247,能够有效提高散热性能并增强可靠性。其主要特点是耐压能力高、电流承载能力强以及动态性能优越,使其成为高效率电力电子转换应用的理想选择。

参数

最大集电极-发射极电压:650V
  最大集电极电流:75A
  最大栅极-发射极电压:±20V
  导通压降(Vce(sat)):1.8V
  开关频率:高达 30kHz
  工作结温范围:-40℃ 至 150℃
  存储温度范围:-55℃ 至 150℃

特性

1. 高电压耐受能力,可承受高达 650V 的集电极-发射极电压,确保在高压环境下的稳定运行。
  2. 支持大电流操作,最大集电极电流达到 75A,适用于高功率应用场景。
  3. 低导通压降设计,减少功率损耗,提升整体系统效率。
  4. 快速开关特性,支持高达 30kHz 的开关频率,满足高频电力转换需求。
  5. 宽工作温度范围,从 -40℃ 至 150℃,适应各种恶劣环境条件。
  6. 先进的封装技术,优化散热性能并提高器件可靠性。
  7. 内置反向二极管,进一步降低能耗并简化电路设计。

应用

1. 工业电机驱动与控制
  2. 不间断电源(UPS)系统
  3. 太阳能逆变器
  4. 电动汽车牵引逆变器
  5. 焊接设备
  6. 高频感应加热设备
  7. 变频空调及其他家电驱动

替代型号

KGF75N65GDF-U/H, IRGB75B60KD, FGH75R65KE

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