KGF75N65KDF-U/H 是一款高性能的 N 沣道绝缘栅双极晶体管(IGBT),适用于高频、高压和高功率的应用场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通损耗和开关损耗的特点,适合于工业控制、电机驱动、逆变器等领域。
这款 IGBT 的封装形式为 H-TO-247,能够有效提高散热性能并增强可靠性。其主要特点是耐压能力高、电流承载能力强以及动态性能优越,使其成为高效率电力电子转换应用的理想选择。
最大集电极-发射极电压:650V
最大集电极电流:75A
最大栅极-发射极电压:±20V
导通压降(Vce(sat)):1.8V
开关频率:高达 30kHz
工作结温范围:-40℃ 至 150℃
存储温度范围:-55℃ 至 150℃
1. 高电压耐受能力,可承受高达 650V 的集电极-发射极电压,确保在高压环境下的稳定运行。
2. 支持大电流操作,最大集电极电流达到 75A,适用于高功率应用场景。
3. 低导通压降设计,减少功率损耗,提升整体系统效率。
4. 快速开关特性,支持高达 30kHz 的开关频率,满足高频电力转换需求。
5. 宽工作温度范围,从 -40℃ 至 150℃,适应各种恶劣环境条件。
6. 先进的封装技术,优化散热性能并提高器件可靠性。
7. 内置反向二极管,进一步降低能耗并简化电路设计。
1. 工业电机驱动与控制
2. 不间断电源(UPS)系统
3. 太阳能逆变器
4. 电动汽车牵引逆变器
5. 焊接设备
6. 高频感应加热设备
7. 变频空调及其他家电驱动
KGF75N65GDF-U/H, IRGB75B60KD, FGH75R65KE