类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大漏极电流（ID）：12A
　　导通电阻（RDS(ON)）：约0.45Ω @ VGS=10V
　　栅极电压范围（VGS）：±30V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

KDR505S MOSFET的核心特性之一是其出色的导通性能，低导通电阻RDS(ON)显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件的高耐压能力（500V VDS）使其适用于高电压应用环境，如工业电源和LED照明系统。此外，该MOSFET具有较高的热稳定性，能够在较高的工作温度下保持稳定运行，适合在高温环境下使用的电源设备。KDR505S采用TO-220封装形式，具有良好的散热能力和机械强度，便于安装在散热器上，以增强其热管理和长期可靠性。这种封装也便于手工焊接和维修，适用于多种应用场景。KDR505S还具备良好的抗雪崩能力和抗过载能力，在极端工作条件下仍能维持稳定性能，减少因过载或瞬态电压引起的失效风险。
　　此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（±30V），兼容多种驱动电路设计，增强了其在不同应用中的适用性。由于其高效率和可靠性，KDR505S广泛用于高效率电源系统、适配器、电池充电器和各种功率控制设备中。

KDR505S MOSFET主要应用于以下领域：开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、LED照明驱动器、马达驱动电路、电池充电管理系统、负载开关控制以及工业自动化和控制设备中的功率管理模块。此外，它还可用于高频逆变器和节能灯具等高效率电源系统中。

K2646, 2SK2647, IRFBC40, FQA12N50, 2SK2141