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FDW2601NZ 发布时间 时间:2025/12/24 14:55:26 查看 阅读:11

FDW2601NZ 是一款由 Fairchild(现为 ON Semiconductor)生产的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET。该器件具有低导通电阻和快速开关速度,非常适合用于高效能的电源转换、负载开关、DC-DC 转换器以及电池管理等应用。
  FDW2601NZ 采用小型 DFN5x6-8 封装,其紧凑的设计有助于节省电路板空间,同时保持出色的电气性能。

参数

型号:FDW2601NZ
  封装:DFN5x6-8
  VDS(漏源极电压):30V
  RDS(on)(导通电阻):4.5mΩ(典型值,在 VGS=10V 条件下)
  IDS(连续漏极电流):14A
  VGS(th)(阈值电压):1.3V(最大值)
  Qg(栅极电荷):7nC(典型值)
  fT(过渡频率):90MHz
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

1. 极低的 RDS(on),能够显著降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关速度与低栅极电荷 Qg,适合高频开关应用。
  3. 支持高电流处理能力(高达 14A),适用于大功率负载控制。
  4. 小巧的 DFN5x6-8 封装设计,可减少 PCB 占用面积。
  5. 宽广的工作温度范围(-55°C 至 +150°C),适应各种严苛环境条件。
  6. 阈值电压较低(VGS(th)=1.3V 最大值),支持逻辑电平驱动,简化电路设计。
  7. 内置反向二极管,提供额外的保护功能。

应用

1. 笔记本电脑和移动设备中的负载开关。
  2. DC-DC 转换器及同步整流应用。
  3. 电池供电设备中的电池管理。
  4. 工业控制和通信设备中的电源转换。
  5. 电机驱动和音频放大器中的开关元件。
  6. 可携式电子设备中的高效能电源管理解决方案。
  7. 电动工具和其他需要大电流开关的应用场景。

替代型号

1. FDMS86202P(来自 ON Semiconductor 的升级版本,具有类似的规格但可能具备更优的性能)。
  2. IRF7843 (Infineon 提供的一款兼容型号,RDS(on) 略高于 FDW2601NZ)。
  3. AO3400A(Alpha & Omega 推出的一款低成本替代品,性能接近且易于替换)。
  4. FDMQ8208 (Fairchild/ON Semiconductor 的另一款相似产品,稍有不同的封装形式)。

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FDW2601NZ参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C15 毫欧 @ 8.2A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs30nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1840pF @ 15V
  • 功率 - 最大1.6W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
  • 供应商设备封装8-TSSOP
  • 包装带卷 (TR)