KDR105S 时间：2025/12/28 14:56:58 阅读：10

KDR105S是一款由韩国Korea Electronics(KEC)公司生产的N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高效率电源转换、开关应用以及负载管理。由于其具备较低的导通电阻(Rds(on))、高耐压能力及优异的热稳定性，KDR105S广泛应用于电源适配器、DC-DC转换器、电池管理系统(BMS)、LED驱动器以及工业自动化设备中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：8A @ 25°C
　　功耗(Pd)：1.25W
　　导通电阻(Rds(on))：最大0.013Ω @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252(DPAK)

特性

KDR105S具有多项出色的电气特性，首先，其低导通电阻(Rds(on))确保了在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。其次，该器件具备较高的耐压能力，漏源极最大耐压可达100V，适用于中高功率的电源转换场景。此外，KDR105S采用先进的沟槽式MOSFET技术，使其在导通状态下的电流密度更高，同时减少了开关损耗。
　　KDR105S的封装形式为TO-252(DPAK)，便于在PCB上安装并具备良好的散热性能，适用于表面贴装技术(SMT)生产工艺。该器件还具备较强的抗静电能力，可承受高达±2000V的人体模型(HBM)静电放电(ESD)，从而增强其在复杂工业环境中的可靠性。
　　另外，KDR105S在高温环境下仍能稳定工作，其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种严苛环境条件下的应用。该MOSFET还具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较高的电流冲击而不损坏，适用于高可靠性的电源系统设计。

应用

KDR105S广泛应用于多个领域，包括但不限于：AC-DC电源适配器中的同步整流电路；DC-DC降压/升压转换器中的主开关元件；LED驱动电路中的恒流控制部分；电池管理系统(BMS)中的充放电控制开关；工业自动化设备中的电机驱动和继电器替代方案；以及各类负载开关、热插拔电路保护和高效能电源模块。此外，由于其良好的导通特性和封装散热性能，也适用于高密度电源设计和对空间要求较高的便携式设备中。