时间：2025/12/27 7:56:06
阅读：8
3N70KG-TN3-R是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的高压制程技术制造，专为高效率、高频率的开关电源应用而设计。该器件封装在小型化的SOT-23（也称作TSOP-6）封装中，具有低导通电阻和优良的热性能，适用于空间受限但要求高性能的应用场景。其额定电压为700V，适合用于需要承受高压瞬态或工作于高母线电压环境下的电路系统中。作为一款自举式晶体管替代方案的一部分，3N70KG-TN3-R广泛应用于AC-DC转换器、离线式电源适配器、LED照明驱动以及待机电源模块等场合。该型号后缀‘-TN3-R’表示其为卷带包装，适合自动化贴片生产，提高了批量制造的效率与可靠性。由于其具备良好的雪崩能量耐受能力及优秀的dv/dt抗扰度，3N70KG-TN3-R能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行，减少系统故障率。
这款MOSFET的设计注重节能与环保，在轻载和满载条件下均能维持较高的转换效率，有助于满足国际能效标准如Energy Star、DoE Level VI等认证要求。此外，其栅极结构经过优化处理，降低了输入电容与反向传输电容，从而减少了驱动损耗并提升了开关速度。这些特性使其成为现代绿色电源解决方案中的关键组件之一。制造商还提供了完整的应用指南和技术支持文档，帮助工程师快速完成电路设计与调试工作。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS)：700V
连续漏极电流(ID)：500mA @ 25°C
脉冲漏极电流(IDM)：2A
栅源电压(VGS)：±30V
导通电阻(RDS(on))：14Ω @ VGS=10V, ID=250mA
导通电阻(RDS(on))：18Ω @ VGS=7V, ID=250mA
阈值电压(VGS(th))：2.0V ~ 4.0V @ ID=250μA
输入电容(Ciss)：20pF @ VDS=25V
输出电容(Coss)：13pF @ VDS=25V
反向传输电容(Crss)：0.9pF @ VDS=25V
最大功耗(PD)：1.25W @ 25°C
工作结温范围(TJ)：-55°C ~ +150°C
封装形式：SOT-23 (TSOP-6)
安装类型：表面贴装
极性：N-Channel
开启时间(td(on))：10ns
关断时间(td(off))：25ns
3N70KG-TN3-R的核心优势在于其高压耐受能力和紧凑的封装尺寸之间的优异平衡。该器件可在高达700V的漏源电压下安全工作，能够应对电网波动、雷击浪涌以及其他瞬态高压事件，确保系统的长期可靠运行。其RDS(on)典型值仅为14Ω（在VGS=10V时），即使在小封装下也能实现较低的导通损耗，提升整体能效。得益于先进的工艺控制，该MOSFET具备稳定的阈值电压分布和一致的动态参数，有利于多器件并联使用或批量生产中的一致性管理。
该器件的电容参数经过优化，Ciss仅为20pF，Crss低至0.9pF，这显著降低了高频开关过程中的驱动损耗和米勒效应影响，从而抑制不必要的误触发现象，提高开关稳定性。同时，其快速的开关响应时间（开启约10ns，关断约25ns）使得它非常适合用于准谐振反激变换器（QR Flyback）、有源钳位反激（Active Clamp Flyback）等高效率拓扑结构中，有效降低开关损耗并提升电源效率。
在可靠性方面，3N70KG-TN3-R通过了AEC-Q101认证的部分测试项目，并具备良好的高温工作能力，结温最高可达+150°C，适合在高温环境下长期运行。其封装采用环保材料，符合RoHS指令要求，不含铅和卤素，满足现代电子产品对环境友好性的需求。此外，器件内部集成了体二极管，具备一定的反向续流能力，在某些非连续导通模式（DCM）应用中可简化外围电路设计。
为了便于系统级热设计，该器件的热阻θJA约为100°C/W，结合适当的PCB布局（如增加铜箔面积或接地层散热），可以有效将热量传导至外部环境，避免局部过热导致性能下降或失效。制造商还建议在实际应用中加入栅极电阻以调节开关速度，进一步优化EMI性能与效率之间的权衡。
3N70KG-TN3-R主要应用于中小功率的隔离式开关电源系统中，尤其适用于需要高压启动和高效运行的离线式电源架构。典型应用场景包括手机充电器、笔记本电脑适配器、智能家居设备电源模块以及工业传感器供电单元等。在LED照明领域，该器件常被用作主开关管或辅助电源开关，支持宽输入电压范围下的恒流输出控制，提升灯具的整体光效与寿命。
在待机电源（Standby Power Supply）设计中，3N70KG-TN3-R凭借其低静态功耗和高转换效率的优势，能够显著降低设备在待机状态下的能耗，助力产品通过严格的能源法规认证。此外，该器件还可用于反激变换器中的有源复位电路或高压侧开关，替代传统的双极型晶体管，从而减小体积、提升响应速度。
在电机控制或继电器驱动电路中，该MOSFET也可作为高压侧开关元件，控制负载的通断。配合合适的驱动电路，它可以实现快速、可靠的开关动作，适用于需要频繁启停的小功率机电系统。另外，在电池管理系统（BMS）或高压检测电路中，3N70KG-TN3-R可用于构建高压侧采样开关或保护开关，提供安全的信号通路切换功能。
由于其SOT-23小型封装特性，该器件特别适合高度集成化的模块电源设计，例如PMIC配套的次级开关、DC-DC控制器外接功率级等。在通信设备、消费电子、工业仪表等多个行业中均有广泛应用前景。
[
"APT1G700L-T1",
"FQP7N80C",
"STP7NK80ZFP",
"2N70K",
"SIHF7N80D"
]
