ETPF1000M6H 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效能功率晶体管,适用于高频和高功率密度的应用场景。该器件采用了先进的封装技术,能够显著降低开关损耗并提升系统效率。它广泛应用于电源管理、通信设备以及工业自动化领域。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:10A
导通电阻:80mΩ
栅极电荷:70nC
开关频率:高达 5MHz
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
ETPF1000M6H 的主要特性包括:
1. 高效的氮化镓材料,使得开关速度更快,同时减少能量损耗。
2. 内置过温保护功能,能够在异常情况下保护器件免受损害。
3. 具备低寄生电感的封装设计,进一步优化了高频性能。
4. 集成了快速恢复二极管,有效降低了反向恢复时间。
5. 提供卓越的热稳定性和可靠性,适合长期运行于严苛环境。
这款芯片常用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),特别是 LLC 谐振转换器和 PFC 升压电路。
2. 工业电机驱动与控制,如变频器和伺服驱动系统。
3. 新能源相关设备,例如太阳能逆变器和电动汽车充电装置。
4. 数据中心和电信基础设施中的高效电源模块。
5. 消费电子产品的快充适配器。
ETPF1200M6H, ETPF1000M5H