电容值：1000pF
　　容差：±2%
　　额定电压：250V
　　温度系数：C0G (NP0)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装/尺寸：0805 (2012 公制)
　　介质材料：陶瓷（C0G/NP0）
　　绝缘电阻：10,000MΩ min
　　损耗因数 (DF)：≤0.15%
　　工作模式：直流

KDH3CNA1GBG电容器具备出色的温度稳定性和频率稳定性，其C0G（NP0）介质材料确保电容值在温度变化时保持高度稳定，适用于高精度电路中的应用。此外，该器件具有较低的损耗因数（DF），在高频应用中表现出色，能够有效减少信号失真和能量损耗。电容器的额定电压为250V，适用于需要较高电压耐受能力的电路设计。其0805封装尺寸在保证较高电容密度的同时，也具备良好的焊接可靠性和自动化装配兼容性。
　　该电容器符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于环保要求较高的电子设备制造。KDH3CNA1GBG的多层陶瓷结构设计不仅提高了电容的机械强度，还增强了其在恶劣环境下的稳定性。此外，该器件具备优异的抗湿性和抗腐蚀能力，能够在高湿度环境下长期稳定工作。在高频滤波、信号耦合和定时电路中，KDH3CNA1GBG表现出色，是许多高精度模拟电路和数字电路的理想选择。
　　由于其优异的电气性能和稳定性，KDH3CNA1GBG在各类工业控制设备、通信系统、医疗仪器以及消费电子产品中得到了广泛应用。无论是用于电源去耦还是高频信号处理，该电容器都能提供可靠的性能支持。

KDH3CNA1GBG电容器广泛应用于各类电子设备中，包括但不限于工业控制系统、通信设备、医疗仪器、测试与测量仪器以及消费类电子产品。在工业控制系统中，该电容器可用于电源去耦和噪声抑制，提高系统的稳定性和可靠性。在通信设备中，KDH3CNA1GBG可用于射频滤波和信号耦合，确保信号传输的稳定性和清晰度。医疗仪器中则利用其高稳定性和低损耗特性，用于高精度信号采集和处理电路。此外，在测试与测量仪器中，该电容器可作为标准电容使用，确保测量的准确性。消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，KDH3CNA1GBG也可用于电源管理、信号滤波和去耦应用，提升设备的整体性能。

C0805C102J250C, VJ0805Y102JXACW1BC, GRM21BR71H103KA01L