型号：P3500SALRP
　　类型：P 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：-30 V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20 V
　　连续漏极电流（Id）：-5 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：-18 A
　　导通电阻 Rds(on)：-0.055 Ω @ Vgs = -10 V
　　导通电阻 Rds(on)：-0.075 Ω @ Vgs = -4.5 V
　　阈值电压（Vth）：-1.0 V ~ -2.5 V
　　输入电容（Ciss）：920 pF @ Vds = 15 V
　　反向传输电容（Crss）：50 pF @ Vds = 15 V
　　输出电容（Coss）：280 pF @ Vds = 15 V
　　开启延迟时间（td(on)）：10 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：35 ns
　　工作结温范围：-55 °C 至 +150 °C
　　封装：SOT-223

P3500SALRP 采用先进的沟槽型 MOSFET 技术，具备出色的电学性能和热管理能力。其低导通电阻特性使其在大电流应用中表现出色，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。在 Vgs = -10 V 条件下，Rds(on) 典型值仅为 55 mΩ，而在实际常见的 -4.5 V 驱动电压下也能保持在 75 mΩ 以内，这使得该器件非常适合用于需要高效能量转换的场合，如电池管理系统和 DC-DC 降压电路。
　　该器件的栅极阈值电压范围为 -1.0 V 到 -2.5 V，确保了在低电压逻辑信号下仍可实现可靠的开关动作，兼容多种控制器输出电平。同时，其 ±20 V 的最大栅源电压允许在瞬态条件下提供一定的安全裕度，防止因电压尖峰导致器件损坏。
　　P3500SALRP 具备良好的高频开关性能，得益于其较低的输入和输出电容（Ciss = 920 pF, Coss = 280 pF），可在高频 PWM 控制中快速响应，减少开关损耗。开启延迟时间为 10 ns，关断延迟时间为 35 ns，适合用于高速开关应用。
　　SOT-223 封装不仅节省 PCB 空间，还提供了优异的散热性能，通过背部散热片可将热量有效传导至 PCB，延长器件寿命。该器件的工作结温范围宽达 -55°C 至 +150°C，支持工业级和汽车级应用环境。
　　此外，P3500SALRP 具有较强的抗雪崩能力和抗静电放电（ESD）能力，增强了在恶劣电气环境下的鲁棒性。其无铅、符合 RoHS 标准的设计也满足现代环保法规要求，适用于消费类电子、工业控制、通信设备和便携式电源等多种领域。

P3500SALRP 广泛应用于需要高效率、小尺寸和高可靠性的功率开关场景。典型应用包括便携式电子设备中的电池电源管理，例如智能手机、平板电脑和移动电源，用于控制电池充放电路径或实现负载开关功能。在这些系统中，该器件可以作为高端开关，用于接通或断开主电源轨，避免不必要的待机功耗。
　　在 DC-DC 转换器中，P3500SALRP 可作为同步整流器或高端开关使用，尤其是在非隔离式 buck（降压）转换器拓扑中，其低 Rds(on) 特性有助于减少传导损耗，提高转换效率。由于其良好的热性能和 SOT-223 封装的小体积，特别适合高密度电源模块设计。
　　该器件还可用于电源多路复用电路，例如在主电源与备用电池之间进行自动切换，确保系统持续供电。在过压保护（OVP）和热插拔控制电路中，P3500SALRP 能够快速切断故障电流，保护后级电路免受损坏。
　　在工业控制系统中，该 MOSFET 常被用于继电器驱动、电机控制和传感器供电开关等场合。其宽温度范围和高可靠性使其适用于户外设备、工业仪表和自动化装置。
　　此外，P3500SALRP 也适用于 LED 驱动电路、USB 电源开关、充电器管理模块以及各类嵌入式系统中的电源排序控制。凭借其稳定的性能和成熟的封装工艺，已成为许多设计师在中等功率 P 沟道开关应用中的首选器件之一。

SI2363DDS-T1-E3
　　DMG2302UK-7
　　FDD8858