类型：NAND闪存
　　容量：1GB（具体为1Gbit，128MB）
　　电压：2.7V至3.6V
　　封装：TSOP（薄型小外形封装）
　　接口：8位I/O接口
　　工作温度范围：0°C至+70°C（商业级）
　　数据读取速度：最高可达50MB/s
　　数据写入速度：最高可达20MB/s
　　擦除时间：约2ms（典型值）
　　封装尺寸：52引脚TSOP
　　存储结构：由多个存储单元块组成，每个块包含多个页

K9WBG08U1M-PIB0T NAND闪存芯片具备多项显著特性。其高存储密度使其成为嵌入式系统和便携设备中理想的选择。该芯片支持随机访问和页编程操作，允许高效的数据存储和读取。同时，它具备良好的耐用性和数据保持能力，能够在长时间断电情况下保持数据完整性。此外，该芯片支持坏块管理功能，允许系统在使用过程中跳过失效的存储块，提高整体可靠性和使用寿命。芯片内部还集成了ECC（错误校正码）功能，有助于检测和纠正数据传输过程中可能出现的错误，从而提高数据完整性。
　　在性能方面，K9WBG08U1M-PIB0T支持快速的读取和写入操作，适用于需要较高数据吞吐量的应用。其低功耗设计有助于延长便携式设备的电池寿命。此外，该芯片具备较强的抗干扰能力，能够在复杂的电磁环境中稳定工作。

K9WBG08U1M-PIB0T NAND闪存芯片广泛应用于多种需要非易失性存储的设备和系统中。典型应用包括数码相机、MP3播放器、便携式游戏机和工业控制设备。由于其较高的存储密度和可靠性，该芯片也常用于车载导航系统、医疗设备和智能家电中。在嵌入式系统中，该芯片可用于存储固件、操作系统和用户数据。此外，它还可用于数据记录设备和智能卡终端，满足对数据持久存储和快速访问的需求。

K9F1G08U0M-PCB0,TOSHIBA TC58NVG2S0HFT00,K9WBG08U1A-PIB0