时间：2025/6/10 17:38:27
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CDR31BP160BJZPAT是一种高压MOSFET功率晶体管，采用TO-247封装形式。该器件适用于高电压和大电流的应用场合，具有低导通电阻、高击穿电压以及快速开关速度等特性。其主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的领域。
这种MOSFET属于N沟道增强型器件，通过栅极电压控制漏极和源极之间的导通与截止状态。由于其优异的电气性能和可靠性，CDR31BP160BJZPAT在工业及汽车电子领域中得到了广泛应用。
最大漏源电压：1600V
最大连续漏电流：16A
最大栅源电压：±20V
导通电阻（典型值）：2.8Ω
总功耗：240W
结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
CDR31BP160BJZPAT具有以下主要特性：
1. 高击穿电压：能够承受高达1600V的漏源电压，非常适合高压应用环境。
2. 低导通电阻：在高电流条件下提供较低的功率损耗，从而提升整体效率。
3. 快速开关能力：具备短开关时间和低栅极电荷，有助于减少开关损耗。
4. 热稳定性强：能够在宽广的工作温度范围内保持稳定性能，适应恶劣环境。
5. 高可靠性：经过严格的质量测试，确保长时间运行的可靠性。
6. 小尺寸封装：尽管为高压器件，但其TO-247封装使其易于安装且节省空间。
CDR31BP160BJZPAT广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于AC/DC或DC/DC转换电路中的功率开关元件。
2. 电机驱动：适用于各种类型的电机控制，如步进电机、伺服电机等。
3. 逆变器：用于太阳能逆变器或其他类型逆变器的核心功率转换模块。
4. 工业自动化设备：包括PLC控制器、变频器和其他需要精确功率控制的系统。
5. 汽车电子：在电动汽车和混合动力汽车中用作主驱逆变器或其他关键部件的一部分。
6. 充电器：用于快速充电器和高功率充电站中以提高效率和降低热量损失。
CDR31BP160BJZPAK, IRFP260N, STGW160N20D2
