K9NCG08U5M-PCBO 是一款由三星(Samsung)生产的NAND闪存芯片,主要用于存储数据。这款芯片采用MLC(多层单元)技术,提供较高的存储密度和可靠性。其设计符合JEDEC标准,支持高速数据传输,适用于各种嵌入式系统、移动设备和固态硬盘等应用领域。
该芯片具有低功耗特性,适合对能效要求较高的应用场景。同时,它也具备良好的耐用性和数据保持能力,确保在各种环境下的稳定性能。
容量:8Gb (1GB)
接口:Toggle Mode 2.0 / ONFI 3.0
工作电压:Vcc=1.8V ± 0.1V, Vccq=1.8V/3.3V ± 5%
封装形式:BGA 167-ball
数据传输速率:最高可达400 MT/s
工作温度范围:-40°C to +85°C
数据保存时间:超过10年
K9NCG08U5M-PCBO 使用了先进的制程技术,从而实现了更高的存储密度和更快的数据读写速度。
1. 高速接口:支持Toggle Mode 2.0 和 ONFI 3.0 接口规范,可实现高达400 MT/s的数据传输速率。
2. MLC技术:通过每单元存储两位数据的方式,在保证性能的同时降低了成本。
3. 稳定性:具有强大的错误校正功能,可以有效提高数据的可靠性和完整性。
4. 耐用性:经过严格测试,能够承受多次擦写循环,延长了产品的使用寿命。
5. 环保:符合RoHS标准,不含有害物质,有利于环境保护。
该芯片广泛应用于需要大容量存储且对成本敏感的产品中,如:
1. 固态硬盘(SSD)
2. USB闪存盘
3. 嵌入式系统中的数据存储模块
4. 移动设备(例如智能手机和平板电脑)的内部存储
5. 工业控制设备和汽车电子系统中的关键数据存储组件。
K9NCG08U1M-PCKB, K9NCG08U5M-BCKB