K9LBG08UOM 时间：2025/11/12 19:12:03 阅读：11

K9LBG08UOM是三星（Samsung）生产的一款NAND型闪存芯片，属于其高密度、高性能的存储器产品线。该芯片采用多层单元（MLC）技术，提供大容量数据存储能力，适用于需要高可靠性和高速读写性能的应用场景。K9LBG08UOM以其低功耗、小封装尺寸和出色的耐久性而著称，广泛应用于移动设备、固态硬盘（SSD）、嵌入式系统以及工业级存储解决方案中。这款NAND闪存在设计上兼顾了性能与成本效益，支持高效的错误校正码（ECC）机制，并具备良好的坏块管理功能，从而确保长期稳定运行。此外，它还符合主流的行业标准接口协议，便于集成到各种复杂的电子系统中。
　　K9LBG08UOM通常用于智能手机、平板电脑、车载信息娱乐系统以及其他便携式消费类电子产品中，作为主存储介质使用。随着物联网和边缘计算的发展，这类高密度非易失性存储器在智能终端设备中的重要性日益增加。该器件支持ONFI（Open NAND Flash Interface）或Toggle Mode等通信协议，能够实现快速的数据传输速率，满足现代应用对大数据吞吐量的需求。制造商提供了完整的数据手册和技术支持文档，帮助开发人员进行电路设计、时序匹配和固件优化，以充分发挥其性能潜力。

参数

类型：NAND Flash
　　容量：128Gb (16GB)
　　工艺制程：20nm
　　电压：2.7V ~ 3.6V
　　工作温度：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：TSOP-48
　　接口类型：ONFI 2.3 或 Toggle Mode 2.0
　　页大小：8KB + 896B OOB
　　块大小：128 pages per block
　　读取延迟：约 25μs
　　编程时间：约 600μs per page
　　擦除时间：约 2ms per block
　　耐久性：3000 P/E cycles
　　数据保持时间：10年（典型）
　　随机读取速度：50MB/s
　　顺序写入速度：30MB/s

特性

K9LBG08UOM是一款基于20nm工艺制造的128Gb MLC NAND闪存芯片，具有高集成度和优异的电气性能。其核心特性之一是采用了先进的电荷捕获结构（Charge Trap Flash, CTF），相比传统浮栅技术，能够在更小的工艺节点下实现更高的可靠性与更低的漏电流。这种结构有效提升了器件的耐久性和数据保持能力，同时降低了制造成本。该芯片支持两种主流接口模式——ONFI 2.3 和 Toggle Mode 2.0，使其能够灵活适配不同的控制器架构，在兼容性和性能之间取得良好平衡。
　　在性能方面，K9LBG08UOM提供高达50MB/s的随机读取速度和30MB/s的持续写入速度，满足大多数中高端嵌入式系统的带宽需求。每个页面容量为8KB，配合896字节的备用区域（OOB, Out-of-Band），可用于存放ECC校验码、逻辑地址映射表及其他元数据，增强了文件系统的管理和纠错能力。每块包含128个页，总块大小为1MB，有助于提高垃圾回收效率并减少写放大效应。
　　该器件具备强大的错误检测与纠正能力，推荐使用至少24位/1KB的硬件ECC支持，可有效应对MLC NAND在多次擦写后出现的比特翻转问题。此外，内置的坏块管理机制在出厂时即标记不可用块，并在整个生命周期内动态监控块健康状态，保障系统稳定性。工作电压范围为2.7V至3.6V，适用于电池供电设备，且静态功耗极低，延长了便携式设备的续航时间。
　　封装采用标准的TSOP-48，便于自动化贴片和回流焊工艺，适合大规模生产。工作温度范围覆盖-40°C至+85°C，可在严苛的工业环境中稳定运行。综合来看，K9LBG08UOM凭借其高容量、低功耗、强可靠性和广泛适用性，成为许多嵌入式存储设计的理想选择。

应用

K9LBG08UOM广泛应用于多种需要大容量、高可靠性非易失性存储的电子系统中。在消费类电子产品领域，它常被用作智能手机和平板电脑的内部存储芯片，特别是在中端机型中作为eMMC或直接连接到主控的原始NAND使用，支持操作系统加载、应用程序运行和用户数据存储。由于其良好的读写性能和较低的功耗表现，也适用于便携式音乐播放器、数码相机和电子书阅读器等设备。
　　在嵌入式系统和工业控制领域，该芯片可用于工控机、POS终端、医疗仪器和智能家居网关等设备中，承担固件存储、日志记录和配置信息保存等功能。其宽温工作能力和较强的抗干扰特性使其能在恶劣环境下长期稳定运行，满足工业级产品的严苛要求。此外，在车载电子系统中，如车载导航仪、行车记录仪和ADAS辅助驾驶模块，K9LBG08UOM也能提供可靠的存储支持，适应车辆启动时的电压波动和长时间高温运行条件。
　　在固态存储扩展方面，该芯片可用于设计小型SATA SSD或UFS模块，尤其适合空间受限但需一定性能表现的应用场景。同时，因其支持主流控制器平台（如ARM-based SoC）并通过标准化接口通信，开发者可以轻松将其集成到自定义PCB设计中，配合FTL（Flash Translation Layer）算法实现高效的磨损均衡与垃圾回收机制。总体而言，K9LBG08UOM适用于所有对存储密度、成本和稳定性有较高要求的中高端嵌入式应用场合。