时间：2025/8/13 7:58:13
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LN1250WT1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和高耐压能力，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及电源管理模块等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极电流（ID）：50A
漏极-源极电压（VDS）：100V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值 23mΩ @ VGS=10V
功率耗散（PD）：134W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
LN1250WT1G 采用先进的沟槽技术，提供了极低的导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。该器件的高耐压能力（100V VDS）使其在高压应用中表现出色。其栅极驱动电压范围宽，支持常见的 10V 栅极驱动电压，同时具备良好的热稳定性。封装方面，该 MOSFET采用 TO-252（DPAK）封装形式，具有良好的散热性能，适用于中高功率密度设计。
此外，LN1250WT1G 具有快速开关特性，能够有效降低开关损耗，提高电源转换效率。其内置的体二极管具有良好的反向恢复特性，适用于需要频繁开关的场合。器件的可靠性高，符合汽车行业常用的 AEC-Q101 标准，适用于车载电源系统、工业电源和消费类电子产品中的功率控制应用。
LN1250WT1G 主要用于各种功率转换和管理应用，包括但不限于同步整流型 DC-DC 转换器、负载开关电路、电池管理系统（BMS）、电动工具和无人机电源模块、车载充电器、电机驱动电路以及高效率电源适配器等。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为高功率密度设计中的理想选择。
Si4410BDY-E3, IRF1404, FDP55N50, STP55NF06L
