时间：2025/9/14 18:16:14
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BUK6D56-60EX 是一款由 NXP（恩智浦）半导体公司生产的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源管理和功率转换应用而设计，具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，适合在电源适配器、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等场合使用。该 MOSFET 采用高性能的 Trench 工艺制造，具备优异的开关性能和导通损耗特性。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大漏极电流（Id）：10A
导通电阻（Rds(on)）：56mΩ（典型值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0V（典型值）
封装形式：TO-220
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
BUK6D56-60EX 的核心优势在于其低导通电阻（Rds(on)），仅为 56mΩ，这使得在高电流应用中导通损耗大幅降低，提升了整体系统效率。
该器件采用先进的 Trench 工艺技术，具有优异的开关性能，包括快速的导通与关断时间，有助于减少开关损耗。
此外，BUK6D56-60EX 具有较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，具备良好的耐用性和可靠性。
其栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 10V 的栅极驱动，兼容多种常见的 MOSFET 驱动器电路。
TO-220 封装形式具备良好的散热能力，适合中高功率密度设计，同时便于安装在散热片上，提升整体散热效率。
BUK6D56-60EX 主要应用于电源管理系统，如 AC-DC 和 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关以及电机控制电路等。
由于其低导通电阻和优异的开关性能，该 MOSFET 特别适用于高效率开关电源（SMPS）和便携式设备中的电源管理模块。
它也常用于工业自动化设备、电动工具和电源适配器等领域，提供高可靠性和高效率的功率开关解决方案。
此外，该器件适用于需要快速开关和高耐压特性的应用，例如 LED 照明驱动器和电池管理系统。
BUK6D65-60EX, BUK6D45-60EX, IRFZ44N, FDP6030L
