时间：2025/5/19 16:52:59
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K9K8G08UOE-SIBO是三星（Samsung）生产的一款NAND闪存芯片，采用MLC（多层单元）技术。该芯片具有高密度存储能力，适用于需要大容量数据存储的应用场景，例如固态硬盘（SSD）、USB闪存盘和嵌入式存储设备。
这款芯片的设计注重性能与可靠性，支持较高速的数据传输速率，并且具备良好的功耗管理特性。它广泛应用于消费类电子、工业控制以及网络通信等领域。
容量：128Gb（16GB）
接口类型：Toggle Mode 2.0
工作电压：1.8V
封装形式：BGA
引脚数：169
数据传输速率：最高可达200MB/s
工作温度范围：-25°C至+85°C
擦写周期：3000次（典型值）
K9K8G08UOE-SIBO采用了先进的制程工艺，确保了其在存储密度和能耗方面的优异表现。
1. 高存储密度：单颗芯片即可提供16GB的存储空间，适合需要大容量存储的应用。
2. 快速数据传输：支持Toggle Mode 2.0接口，能够实现高达200MB/s的数据传输速度。
3. 良好的可靠性和耐用性：擦写周期达到3000次，满足常规存储需求。
4. 广泛的工作温度范围：从-25°C到+85°C，适应多种环境条件下的应用。
5. 功耗优化设计：通过智能功耗管理技术降低整体能耗，提高设备续航能力。
K9K8G08UOE-SIBO主要应用于以下领域：
1. 固态硬盘（SSD）：作为核心存储组件，为SSD提供大容量存储支持。
2. USB闪存盘：用于制造高性能的USB存储设备。
3. 嵌入式系统：如工业控制设备、网络通信设备等需要稳定可靠存储解决方案的场合。
4. 消费类电子产品：例如数码相机、平板电脑和其他便携式电子设备中的数据存储模块。
K9K8G08UOD-SIBO
K9K8G08UOM-SIBO
