FDG316P 是一款 N 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),属于 Fairchild 半导体的 DMOS 功率晶体管系列。它具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适用于多种功率转换和电机驱动应用。该器件通常用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电池管理等场景。
最大漏源电压:20V
最大栅源电压:±12V
连续漏极电流:8A
导通电阻(Rds(on)):5mΩ(典型值,Vgs=10V时)
总功耗:40W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-220
FDG316P 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可显著降低传导损耗,提高效率。
2. 快速开关性能,适合高频应用。
3. 高电流承载能力,支持大功率操作。
4. 优秀的热稳定性和可靠性,能够在高温环境下正常工作。
5. 具备静电放电(ESD)保护功能,增强了器件的鲁棒性。
6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子设计中。
FDG316P 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS),如适配器和充电器。
2. DC-DC 转换器中的同步整流。
3. 电机驱动电路,特别是小型直流电机控制。
4. 负载开关和保护电路。
5. 电池管理系统 (BMS),用于过流保护和充放电控制。
6. 工业自动化设备中的功率级控制。
IRFZ44N, FDN337N