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FDG316P 发布时间 时间:2025/5/30 10:52:17 查看 阅读:8

FDG316P 是一款 N 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),属于 Fairchild 半导体的 DMOS 功率晶体管系列。它具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适用于多种功率转换和电机驱动应用。该器件通常用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电池管理等场景。

参数

最大漏源电压:20V
  最大栅源电压:±12V
  连续漏极电流:8A
  导通电阻(Rds(on)):5mΩ(典型值,Vgs=10V时)
  总功耗:40W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-220

特性

FDG316P 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可显著降低传导损耗,提高效率。
  2. 快速开关性能,适合高频应用。
  3. 高电流承载能力,支持大功率操作。
  4. 优秀的热稳定性和可靠性,能够在高温环境下正常工作。
  5. 具备静电放电(ESD)保护功能,增强了器件的鲁棒性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子设计中。

应用

FDG316P 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS),如适配器和充电器。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流。
  3. 电机驱动电路,特别是小型直流电机控制。
  4. 负载开关和保护电路。
  5. 电池管理系统 (BMS),用于过流保护和充放电控制。
  6. 工业自动化设备中的功率级控制。

替代型号

IRFZ44N, FDN337N

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FDG316P参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C190 毫欧 @ 1.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs5nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds165pF @ 10V
  • 功率 - 最大480mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装SC-70-6
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDG316P-NDFDG316PTR