时间：2025/5/23 11:15:00
阅读：2
K9K8G08U0E-SIB0 是三星（Samsung）生产的一款NAND闪存芯片，采用MLC（多层单元）技术。这款芯片主要应用于需要大容量存储的设备中，例如固态硬盘（SSD）、嵌入式系统、工业级存储卡等。该型号具备高可靠性、快速数据传输速度和低功耗的特点，广泛用于对性能和稳定性要求较高的场合。
存储容量：8GB
接口类型：Toggle DDR 2.0
工作电压：1.8V
封装形式：BGA
数据传输速率：最高400MB/s
页大小：16KB
块大小：512KB
擦写寿命：3000次
工作温度：-25°C 至 +85°C
K9K8G08U0E-SIB0 采用了先进的制程工艺，确保了其在高密度存储下的稳定性和可靠性。
它支持Toggle DDR 2.0 接口协议，能够实现更快的数据传输速度，满足现代设备对高性能存储的需求。
此外，该芯片具有较低的工作电压，有助于减少功耗，延长设备的续航时间。
其多层单元（MLC）技术能够在每个存储单元中保存两位数据，从而有效提升存储密度并降低成本。
适用于极端环境下的操作，工作温度范围宽广，能够适应从低温到高温的各种应用场景。
K9K8G08U0E-SIB0 主要应用于以下领域：
1. 固态硬盘（SSD），作为主存储介质提供高效的数据读写能力。
2. 嵌入式系统，如工业控制设备、网络通信设备等，用于数据记录和程序存储。
3. 消费类电子产品，如高清摄像机、无人机等需要大容量存储的设备。
4. 工业级存储卡，如CF卡、SD卡等，提供可靠的数据存储解决方案。
5. 车载电子系统，为导航、娱乐等功能模块提供存储支持。
K9K8G08U1M-SIB0
K9K8G08U0M-SIB0
