类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：115mA（VGS=10V）
　　最大漏-源极电压（VDS）：60V
　　最大栅-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大5Ω（VGS=10V）
　　阈值电压（VGS(th)）：1V至2.5V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TSSOP

2N7002KDWT/R MOSFET具有多种优良特性，使其适用于多种电子系统设计。首先，其高耐压能力（VDS=60V）使其能够在中等电压应用中可靠工作，如电源开关和电机控制。其次，该器件具有较低的导通电阻（RDS(on)）和快速开关特性，有助于减少开关损耗并提高系统效率。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（VGS可达±20V），兼容多种逻辑电平控制电路，包括5V和3.3V系统。
　　其采用TSSOP封装，具有较小的PCB占用空间，适合高密度电路板设计。同时，该封装有助于良好的散热性能，确保器件在较高负载条件下仍能保持稳定运行。此外，2N7002KDWT/R具有良好的热稳定性和可靠性，适用于工业级工作温度范围（-55°C至+150°C），适合用于工业控制、汽车电子及消费类电子产品中。

2N7002KDWT/R MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于：电源管理系统中的负载开关、LED驱动电路、逻辑电平转换器、继电器或电机驱动电路、电池供电设备中的开关控制、以及各种嵌入式系统中的低功耗控制电路。由于其高速开关特性和良好的热稳定性，它也常用于需要频繁切换的数字控制电路中，如PWM调制系统和DC-DC转换器。在汽车电子中，该器件可用于车身控制模块、车载娱乐系统和车载充电系统等应用。

2N7002KDWTR、2N7002E、2N7002N、BSN20、FDV301N、Si2302DS