时间：2025/9/2 7:10:59
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H9DA1GG51JBMCR-4EM 是由SK Hynix（现为Hynix Semiconductor）生产的一款NAND闪存芯片。这款芯片属于高密度存储解决方案，适用于需要大容量非易失性存储器的应用场合。H9DA1GG51JBMCR-4EM 采用先进的制造工艺，具有较高的存储密度和可靠性，适用于嵌入式系统、固态硬盘（SSD）、便携式设备以及其他需要大容量数据存储的场景。
容量：1GB
电压：2.7V - 3.6V
接口类型：ONFI 1.0兼容
封装类型：TSOP
数据传输速率：50MB/s
擦写周期：10,000次
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
H9DA1GG51JBMCR-4EM NAND闪存芯片具备多项显著特性。首先，其1GB的存储容量使其适用于需要较大存储空间的应用，例如数据日志记录、固件存储和多媒体存储。该芯片支持ONFI 1.0标准接口，确保了与其他NAND控制器的兼容性，简化了系统设计和集成过程。
其次，该芯片的工作电压范围为2.7V至3.6V，使其能够适应不同的电源管理系统，并具备良好的抗干扰能力。数据传输速率达到50MB/s，满足了高速数据读写的需求，适用于实时数据处理和高速缓存应用。
H9DA1GG51JBMCR-4EM NAND闪存芯片广泛应用于多个领域。在嵌入式系统中，该芯片常用于存储操作系统、应用程序和用户数据，例如在工业控制设备、医疗仪器和自动化系统中。此外，它也适用于固态硬盘（SSD）的设计，作为高速缓存或辅助存储单元，提高存储系统的整体性能。
H9DA1GH51JBMCR-4EM, H9DA1GG51JAMCR-4EM, H9DA1GH51GAMCR-4EM
