H9DA1GG51JBMCR-4EM 是由SK Hynix(现为Hynix Semiconductor)生产的一款NAND闪存芯片。这款芯片属于高密度存储解决方案,适用于需要大容量非易失性存储器的应用场合。H9DA1GG51JBMCR-4EM 采用先进的制造工艺,具有较高的存储密度和可靠性,适用于嵌入式系统、固态硬盘(SSD)、便携式设备以及其他需要大容量数据存储的场景。
容量:1GB
电压:2.7V - 3.6V
接口类型:ONFI 1.0兼容
封装类型:TSOP
数据传输速率:50MB/s
擦写周期:10,000次
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
H9DA1GG51JBMCR-4EM NAND闪存芯片具备多项显著特性。首先,其1GB的存储容量使其适用于需要较大存储空间的应用,例如数据日志记录、固件存储和多媒体存储。该芯片支持ONFI 1.0标准接口,确保了与其他NAND控制器的兼容性,简化了系统设计和集成过程。
其次,该芯片的工作电压范围为2.7V至3.6V,使其能够适应不同的电源管理系统,并具备良好的抗干扰能力。数据传输速率达到50MB/s,满足了高速数据读写的需求,适用于实时数据处理和高速缓存应用。
H9DA1GG51JBMCR-4EM NAND闪存芯片广泛应用于多个领域。在嵌入式系统中,该芯片常用于存储操作系统、应用程序和用户数据,例如在工业控制设备、医疗仪器和自动化系统中。此外,它也适用于固态硬盘(SSD)的设计,作为高速缓存或辅助存储单元,提高存储系统的整体性能。
H9DA1GH51JBMCR-4EM, H9DA1GG51JAMCR-4EM, H9DA1GH51GAMCR-4EM