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H9DA1GG51JBMCR-4EM 发布时间 时间:2025/9/2 7:10:59 查看 阅读:7

H9DA1GG51JBMCR-4EM 是由SK Hynix(现为Hynix Semiconductor)生产的一款NAND闪存芯片。这款芯片属于高密度存储解决方案,适用于需要大容量非易失性存储器的应用场合。H9DA1GG51JBMCR-4EM 采用先进的制造工艺,具有较高的存储密度和可靠性,适用于嵌入式系统、固态硬盘(SSD)、便携式设备以及其他需要大容量数据存储的场景。

参数

容量:1GB
  电压:2.7V - 3.6V
  接口类型:ONFI 1.0兼容
  封装类型:TSOP
  数据传输速率:50MB/s
  擦写周期:10,000次
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

H9DA1GG51JBMCR-4EM NAND闪存芯片具备多项显著特性。首先,其1GB的存储容量使其适用于需要较大存储空间的应用,例如数据日志记录、固件存储和多媒体存储。该芯片支持ONFI 1.0标准接口,确保了与其他NAND控制器的兼容性,简化了系统设计和集成过程。
  其次,该芯片的工作电压范围为2.7V至3.6V,使其能够适应不同的电源管理系统,并具备良好的抗干扰能力。数据传输速率达到50MB/s,满足了高速数据读写的需求,适用于实时数据处理和高速缓存应用。

应用

H9DA1GG51JBMCR-4EM NAND闪存芯片广泛应用于多个领域。在嵌入式系统中,该芯片常用于存储操作系统、应用程序和用户数据,例如在工业控制设备、医疗仪器和自动化系统中。此外,它也适用于固态硬盘(SSD)的设计,作为高速缓存或辅助存储单元,提高存储系统的整体性能。

替代型号

H9DA1GH51JBMCR-4EM, H9DA1GG51JAMCR-4EM, H9DA1GH51GAMCR-4EM

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