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K9GAG08U0E-SCB0 发布时间 时间:2025/5/22 1:14:29 查看 阅读:17

K9GAG08U0E-SCB0 是三星(Samsung)公司生产的 NAND Flash 存储芯片,基于 3D TLC 技术。该型号提供高密度存储能力,广泛应用于消费电子、工业设备以及嵌入式系统中。其封装形式为 BGA,具有低功耗和高性能的特点,适合需要大容量存储的应用场景。
  该芯片支持标准的 ONFI(Open NAND Flash Interface)接口协议,可与多种主控芯片兼容,便于设计集成。

参数

容量:64GB
  位宽:8位
  接口类型:ONFI 3.1/Toggle 2.0
  工作电压:2.7V ~ 3.6V
  封装形式:BGA
  工作温度范围:-25℃ ~ 85℃
  擦写寿命:约 3000 次
  数据保留时间:10 年

特性

K9GAG08U0E-SCB0 具备以下主要特性:
  1. 高密度存储:采用先进的 3D TLC 技术,单颗芯片即可实现 64GB 的存储容量。
  2. 多种接口支持:兼容 ONFI 3.1 和 Toggle 2.0 接口协议,能够灵活适配不同的主控方案。
  3. 低功耗设计:优化了读写操作中的功耗表现,延长设备电池续航时间。
  4. 稳定性强:支持在较宽的工作温度范围内稳定运行,适用于各种环境条件下的应用。
  5. 高可靠性:具备较高的擦写寿命和较长的数据保留时间,确保长期使用的稳定性。
  6. 小型化封装:使用 BGA 封装,节省 PCB 空间,适合对体积有严格要求的设计。

应用

K9GAG08U0E-SCB0 主要应用于以下领域:
  1. 消费电子产品:如智能手机、平板电脑、智能电视等需要大容量存储的设备。
  2. 嵌入式系统:例如工控机、医疗设备、POS 机等需要可靠存储解决方案的场景。
  3. 监控设备:安防摄像头、行车记录仪等需要持续存储数据的设备。
  4. 物联网终端:智能家居设备、传感器节点等需要本地存储的 IoT 设备。
  5. 数据记录器:如飞行数据记录仪、黑匣子等需要高可靠性的存储装置。

替代型号

K9GAG08U1M, K9GAG08U5M

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