时间：2025/8/9 18:51:49
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FMV13N60ES是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由富士电机（Fuji Electric）制造。这款MOSFET设计用于高功率开关应用，具备低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性。其主要优势在于在高温条件下仍能保持稳定性能，适合在电力电子变换器、电机驱动、电源管理系统等领域使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大漏极电流（Id）：13A（在Tc=25℃时）
导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω（最大值，Vgs=10V）
栅极电荷（Qg）：26nC（典型值）
工作温度范围：-55℃～+150℃
封装形式：TO-220F
功率耗散（Pd）：80W
漏极-源极击穿电压（BVDSS）：600V
FMV13N60ES具有多项优良特性，适用于高性能功率转换系统。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少导通损耗，提高系统效率。该器件具备高耐压能力，漏源电压额定值高达600V，能够承受较大的电压应力，适用于高压电源和变换器设计。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，在高温环境下依然保持优异的导通性能和可靠性，提升了系统的稳定性和寿命。
其封装形式为TO-220F，具有良好的散热性能，便于安装和散热管理，适合用于紧凑型功率电路设计。FMV13N60ES还具有较低的栅极电荷（Qg），有利于提高开关速度，减少开关损耗，提升整体系统效率。
该MOSFET在设计上优化了短路耐受能力和过热保护特性，能够有效应对突发的电路异常情况，增强了系统的安全性。此外，其低漏电流和高开关频率特性，使其适用于高频开关电源、DC-DC变换器、UPS系统和电机控制等应用场景。
FMV13N60ES广泛应用于各种高功率电子系统中，例如开关电源（SMPS）、光伏逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、工业自动化设备和家用电器中的功率控制模块。其高耐压和低导通电阻特性，使其特别适用于需要高效能和高可靠性的电力电子变换器设计。
FMV16N60ES, FQA13N60C, FCP13N60E
