时间：2025/4/29 11:36:07
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K9G8G08UOM-PCBO 是一款由三星（Samsung）制造的 NAND 闪存芯片，主要应用于需要大容量存储的设备中。该芯片采用先进的制程工艺，具有高可靠性和高性能的特点。其设计符合行业标准，支持多比特纠错和高速数据传输，广泛用于消费类电子产品、嵌入式系统和工业应用。
这款 NAND 闪存芯片具有良好的读写性能和较低的功耗，适合需要长期稳定运行的场景。
容量：64Gb
接口：Toggle Mode 2.0 / ONFI 3.0
工作电压：Vcc=1.8V ±0.1V, Vccq=1.8V ±0.1V
封装形式：WSON (Write Speed Optimized NAND)
页大小：16KB + 512 Bytes ECC
块大小：512 Pages
擦除次数：3000次典型值
数据保持能力：10年（在25°C下）
工作温度范围：-25°C 至 +85°C
K9G8G08UOM-PCBO 芯片采用了 MLC（多层单元）技术，每个存储单元可以保存两位数据，从而实现更高的存储密度。
该芯片支持 Toggle Mode 2.0 和 ONFI 3.0 接口规范，能够提供高达 200MB/s 的顺序读取速度和 120MB/s 的顺序写入速度。
内置的坏块管理功能可以自动处理损坏的存储块，确保数据完整性。
支持 BCH ECC（Bose-Chaudhuri-Hocquenghem Error Correction Code），能有效纠正数据传输过程中的错误，提升数据可靠性。
芯片具有低功耗特性，在待机模式下的电流消耗极低，非常适合电池供电设备使用。
此外，该芯片具备全面的数据保护机制，包括数据刷新和磨损均衡算法，进一步延长了使用寿命。
K9G8G08UOM-PCBO 广泛应用于各种需要大容量存储的场景，例如固态硬盘（SSD）、USB 闪存盘、记忆卡、平板电脑、智能手机和其他便携式电子设备。
它也适用于网络存储设备、工业控制设备和汽车电子系统等对存储性能和稳定性要求较高的领域。
由于其支持多种接口协议，该芯片还可用于开发定制化的存储解决方案，满足特定应用需求。
K9G8G08U0C-PCCO
K9G8G08U1M-PCKE
K9G8G08U5M-PCKA
