时间：2025/6/19 6:39:51
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K9F1G08UOE-SCBO 是一款由三星（Samsung）制造的 NAND 闪存芯片。该芯片属于早期的 NAND 闪存系列，主要应用于数据存储设备中，例如 USB 驱动器、记忆卡和固态硬盘等。它采用了 3.3V 的工作电压，并支持标准的 NAND 接口协议。这款芯片在当时以高密度存储能力和较快的数据传输速度著称。
该型号提供 1Gb（128MB）的存储容量，使用了多层单元（MLC）技术来提高存储效率。此外，它的封装形式为 BGA 封装，这种封装方式能够有效减少芯片体积并提升散热性能。
容量：1Gb (128MB)
工作电压：3.3V
接口类型：NAND Flash
封装形式：BGA
存储技术：MLC
页大小：512 Bytes
块大小：16KB
数据保留时间：10年
擦写周期：100,000 次
K9F1G08UOE-SCBO 具备以下显著特性：
1. 高密度存储能力：尽管其容量较小（按现代标准），但在当时已能满足许多嵌入式系统对存储的需求。
2. 快速读写速度：通过优化内部架构设计，确保数据传输效率。
3. 稳定性与可靠性：基于三星成熟的 NAND 技术平台，具备较长的数据保留时间和足够的擦写寿命。
4. 低功耗设计：适合便携式电子设备使用，减少电池消耗。
5. BGA 封装优势：减小了 PCB 占用面积，同时增强了散热性能。
K9F1G08UOE-SCBO 广泛应用于以下领域：
1. 存储卡：如 SD 卡、MicroSD 卡等。
2. USB 闪存盘：用于小型移动存储设备。
3. 嵌入式系统：包括工业控制设备、医疗仪器及消费类电子产品中的固件存储。
4. 固态硬盘（SSD）：作为早期 SSD 的组成部分之一。
5. 数据记录设备：如行车记录仪或监控摄像头中的循环存储模块。
K9F1G08U0A, K9F1G08R0A, K9F1G08U0M
