时间：2025/5/12 9:15:41
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K9F1G08U0M-YCB0 是三星（Samsung）生产的一款 NAND 闪存芯片，属于早期的 NAND Flash 系列。这款芯片主要应用于数据存储设备中，例如 USB 闪存盘、内存卡、固态硬盘（SSD）以及其他需要非易失性存储的设备。
该芯片采用标准的 TSOP-48 封装形式，支持页模式读取和快速写入操作。其设计初衷是为了提供大容量、低成本的存储解决方案，适合消费级电子产品。
容量：128Mb（16MB）
接口类型：8位异步NAND
工作电压：3.3V±0.3V
页面大小：512字节
块大小：16KB
封装形式：TSOP-48
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
K9F1G08U0M-YCB0 具备以下特点：
1. 高密度存储：尽管以现代标准来看容量较小，但在当时能够满足大多数便携式存储需求。
2. 快速读写性能：通过优化内部结构和使用页模式访问技术，显著提高了数据传输速度。
3. 低功耗设计：适用于对电池寿命要求较高的移动设备。
4. 耐用性与可靠性：经过严格测试，保证在各种环境条件下稳定运行。
5. 简化系统设计：减少了外围电路复杂度，便于集成到各类电子系统中。
这款 NAND Flash 芯片广泛应用于以下领域：
1. 消费类电子产品：如 MP3 播放器、数码相机等需要内置存储的设备。
2. 嵌入式系统：为工业控制、医疗设备和其他嵌入式应用提供可靠的存储方案。
3. 数据记录设备：用于日志记录或临时缓存数据，确保重要信息不会丢失。
4. 初代 SSD：作为早期固态硬盘的核心存储组件之一。
5. 各种 USB 存储设备：包括早期的优盘以及闪存卡产品。
K9F1G08U0A, K9F1G08U0B, K9F1G08U0C
