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K9F1G08U0M-YCB0 发布时间 时间:2025/5/12 9:15:41 查看 阅读:20

K9F1G08U0M-YCB0 是三星(Samsung)生产的一款 NAND 闪存芯片,属于早期的 NAND Flash 系列。这款芯片主要应用于数据存储设备中,例如 USB 闪存盘、内存卡、固态硬盘(SSD)以及其他需要非易失性存储的设备。
  该芯片采用标准的 TSOP-48 封装形式,支持页模式读取和快速写入操作。其设计初衷是为了提供大容量、低成本的存储解决方案,适合消费级电子产品。

参数

容量:128Mb(16MB)
  接口类型:8位异步NAND
  工作电压:3.3V±0.3V
  页面大小:512字节
  块大小:16KB
  封装形式:TSOP-48
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

K9F1G08U0M-YCB0 具备以下特点:
  1. 高密度存储:尽管以现代标准来看容量较小,但在当时能够满足大多数便携式存储需求。
  2. 快速读写性能:通过优化内部结构和使用页模式访问技术,显著提高了数据传输速度。
  3. 低功耗设计:适用于对电池寿命要求较高的移动设备。
  4. 耐用性与可靠性:经过严格测试,保证在各种环境条件下稳定运行。
  5. 简化系统设计:减少了外围电路复杂度,便于集成到各类电子系统中。

应用

这款 NAND Flash 芯片广泛应用于以下领域:
  1. 消费类电子产品:如 MP3 播放器、数码相机等需要内置存储的设备。
  2. 嵌入式系统:为工业控制、医疗设备和其他嵌入式应用提供可靠的存储方案。
  3. 数据记录设备:用于日志记录或临时缓存数据,确保重要信息不会丢失。
  4. 初代 SSD:作为早期固态硬盘的核心存储组件之一。
  5. 各种 USB 存储设备:包括早期的优盘以及闪存卡产品。

替代型号

K9F1G08U0A, K9F1G08U0B, K9F1G08U0C

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