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KTC8550-C 发布时间 时间:2025/6/24 8:35:57 查看 阅读:6

KTC8550-C是一款高性能的MOSFET驱动芯片,广泛应用于直流电机驱动、步进电机控制、LED驱动等领域。该芯片具有高效率、低功耗和良好的热性能,能够有效地驱动N沟道功率MOSFET如过流保护、短路保护和过温保护,确保在复杂工况下的稳定运行。
  其设计基于先进的CMOS工艺,能够提供较高的输出电流和快速的开关速度,从而降低系统功耗并提高整体效率。

参数

工作电压:4.5V~55V
  峰值输出电流:1.2A
  静态电流:30μA(典型值)
  驱动能力:双通道N-MOS驱动
  工作温度范围:-40℃~125℃
  封装形式:DIP8/SOP8

特性

KTC8550-C具有以下显著特点:
  1. 高压工作范围,适用于多种电源环境。
  2. 内置死区时间控制,防止直通电流。
  3. 快速开关性能,降低开关损耗。
  4. 内部集成多种保护功能,提升系统可靠性。
  5. 封装小巧,易于布局和散热管理。
  6. 支持PWM调制输入,方便实现精准的速度或亮度调节。

应用

这款芯片主要应用于以下领域:
  1. 直流无刷电机驱动。
  2. 步进电机控制器。
  3. LED恒流驱动电路。
  4. 开关电源中的MOSFET驱动。
  5. 汽车电子设备中的负载切换。
  6. 工业自动化设备中的继电器驱动。
  KTC8550-C凭借其出色的性能和稳定性,在这些领域中得到了广泛应用。

替代型号

KTC8550G, KTC8550B

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