型号：K7R640982M-FC25
　　制造商：Samsung
　　产品类型：DDR2 SDRAM (KGD)
　　存储容量：64M x 16 位 (1 Gb)
　　组织结构：8 Banks × 8M Words
　　电压 - 供电：1.7V ~ 1.95V
　　输入/输出电压：1.7V ~ 1.95V
　　时钟频率：最高250MHz
　　数据速率：500 Mbps (DDR)
　　数据宽度：16位
　　封装类型：FBGA, Fine Pitch
　　引脚数：90球
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　存取时间：约3.0ns（典型值）
　　刷新模式：自动刷新 / 自刷新
　　兼容性：JEDEC DDR2 标准
　　封装尺寸：已知为小型化设计，具体尺寸需参考官方封装图

K7R640982M-FC25 具备多项先进的电气与物理特性，使其在高密度便携式系统中表现出色。首先，其采用8 Bank的内部架构设计，允许更高效的并发操作与页面管理，显著提升了内存带宽利用率。每个Bank可独立激活、读写或预充电，结合突发长度可编程（BL=4或8）与突发类型选择（顺序或交错），能够灵活适配不同应用场景下的数据访问模式，从而优化整体系统性能。
　　该芯片支持差分时钟输入（CK/CK#），提高了时钟信号的抗噪能力与同步精度，确保在高频运行下的稳定性。命令通过时钟上升沿采样，所有输入信号均在时钟上升沿触发，符合DDR2严格的时序规范。此外，内置延迟锁定环（DLL）用于校准数据输出与系统时钟之间的相位关系，减少数据偏移（skew），提升信号完整性，尤其是在多芯片共用总线的情况下尤为重要。
　　功耗管理方面，K7R640982M-FC25 提供多种低功耗模式，包括待机模式、预充电电源下降模式和自刷新模式。在自刷新状态下，仅需维持最低限度的电流即可保持数据不丢失，非常适合睡眠模式下的移动设备。同时，其支持部分阵列自刷新（Partial Array Self-Refresh, PASR）功能，允许用户选择性地关闭某些存储Bank以进一步节省能耗。
　　作为KGD裸片，该产品经过完整的晶圆级测试与老化筛选，确保每一个交付的裸片都达到功能与可靠性标准。其表面钝化层与焊盘布局针对后续封装工艺进行了优化，支持金线或铜线倒装焊接（Flip-Chip Bonding），具有良好的热循环耐久性和机械强度。整体设计兼顾高频性能、低功耗与高可靠性，是高端移动通信与消费类电子产品中理想的内存解决方案。

K7R640982M-FC25 主要应用于需要高度集成与紧凑布局的便携式电子设备。其最常见的使用场景是在智能手机与功能手机中，作为应用处理器或多芯片封装（MCP）中的配套DRAM，与闪存或其他逻辑芯片共同封装，构成完整的内存子系统。这种集成方式不仅节省了主板空间，还减少了信号路径长度，有助于提高数据传输速率和系统响应速度。
　　此外，该芯片也被广泛用于个人数字助理（PDA）、便携式导航设备（PND）、智能手表早期型号、多媒体播放器（PMP）以及无线通信模块（如3G/LTE模块）中。在这些设备中，系统通常需要在有限的空间内实现较高的处理能力和流畅的图形界面，而K7R640982M-FC25 提供的1Gb容量与DDR2接口恰好满足这一需求，同时保持较低的功耗水平。
　　由于其属于KGD裸片形式，不直接焊接于PCB，因此主要客户为专业的封装测试厂商（OSAT）以及拥有先进封装能力的IDM企业。这些厂商将其用于堆叠封装（PoP, Package on Package）或系统级封装（SiP）中，与处理器裸片共同构成功能完整的模块。此类封装常见于高端移动平台，例如某些基于ARM架构的应用处理器平台。
　　除了消费电子领域，该器件也在工业控制、医疗便携设备和车载信息娱乐系统中有一定应用，特别是在那些对体积敏感且需要稳定内存性能的场合。尽管随着LPDDR3/LPDDR4的普及，DDR2 KGD逐渐被替代，但在一些成熟量产项目或成本敏感型设计中，K7R640982M-FC25 仍具备一定的市场价值和技术延续性。

K4X1G1646C-FCF7
　　MT47H64M16NF-25:B
　　EM63A165TS-25