时间：2025/9/14 14:23:39
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PSMN3R0-30MLC,115是一款由Nexperia（安世半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高功率密度和高效率应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高电流能力和优良的热性能，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统等多种应用场景。其封装形式为LFPAK56（也称为Power-SO8），具有良好的散热性能，适合在紧凑型设计中使用。
类型：N沟道
最大漏源电压(VDS)：30V
最大漏极电流(ID)：130A（在25°C）
导通电阻(RDS(on))：3mΩ（最大值）
栅极阈值电压(VGS(th))：2V至4V
最大耗散功率(PD)：120W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：LFPAK56（Power-SO8）
配置：单通道
PSMN3R0-30MLC,115具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流条件下，导通损耗最小化，提高了整体效率。其次，该器件采用了先进的Trench MOSFET技术，使得在保持低导通电阻的同时，还能实现高栅极电荷（Qg）效率，从而减少开关损耗。
此外，PSMN3R0-30MLC,115采用LFPAK56封装，具有良好的热管理性能，能够在高功率密度环境下稳定运行。该封装还具备双侧散热能力，有助于降低热阻并提升器件的可靠性。由于其高电流能力和耐压特性，该MOSFET适用于高负载应用场景，如服务器电源、电动汽车充电系统、工业电机控制以及高性能DC-DC转换器。
PSMN3R0-30MLC,115广泛应用于需要高效率和高功率密度的电子系统中。常见用途包括：DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、电源管理系统、服务器和通信设备的电源模块、工业自动化设备以及电动汽车的充电控制电路。此外，由于其通过了AEC-Q101认证，该器件也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和电池保护电路。
IPD90N03S4-03, STD30NF03L, IRF3710, BSC030N03LS
