型号：K7P401823M-HC65
　　制造商：Samsung
　　产品类型：LPDDR4X SDRAM
　　存储容量：8Gb (1GB)
　　组织结构：单颗x16位，支持双通道
　　工作电压：VDD = 1.8V，VDDQ = 0.6V
　　时钟频率：最高支持1600MHz（数据速率3200Mbps）
　　I/O标准：POD_06（Power-down optimized driver at 0.6V）
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：90-ball
　　封装尺寸：约9mm x 11.5mm x 0.7mm
　　温度范围：商业级（0°C 至 +70°C）
　　兼容标准：JESD209-4B LPDDR4X
　　刷新模式：自动刷新（Auto Refresh）、自刷新（Self-refresh）
　　功能特性：支持深度掉电模式、温度补偿自刷新（TCSR）、动态频率切换（DFS）等节能机制

K7P401823M-HC65 具备多项先进特性，使其在现代低功耗高性能系统中表现出色。首先，它采用了LPDDR4X标准中的差分时钟架构（CK_t/CK_c），实现了更高的信号完整性和抗干扰能力，能够在高频下稳定运行。其次，该芯片支持双倍数据率（DDR）传输，在每个时钟周期的上升沿和下降沿均可传输数据，从而将有效数据速率提升至传统SDRAM的两倍以上。此外，其内置的温度传感器可实时监测芯片内部温度，并结合温度补偿自刷新（TCSR）技术动态调整刷新周期，在高温环境下减少不必要的功耗，延长电池寿命。
　　该器件还具备多种电源管理模式，包括预充电掉电（Precharge Power-down）、激活掉电（Active Power-down）、自刷新（Self-refresh）和深度掉电模式（Deep Power-down Mode）。这些模式可根据系统负载灵活切换，实现精细化的能耗控制。例如，在设备处于待机状态时，可通过进入自刷新模式维持数据不丢失的同时大幅降低电流消耗；而在完全休眠状态下则可启用深度掉电模式，进一步削减漏电流。另外，K7P401823M-HC65 支持动态电压和频率切换（DVFS），允许系统根据实际性能需求调节工作频率和供电电压，优化整体能效表现。
　　在可靠性方面，该芯片通过了严格的工业测试标准，具备良好的耐热性、抗振动和抗电磁干扰能力。其FBGA封装采用底部焊球设计，提高了散热效率并增强了机械稳定性，适用于高密度PCB布局。同时，支持ZQ校准功能，确保在不同工作条件下维持稳定的I/O驱动强度和终端阻抗匹配，保障高速信号传输的质量。所有这些特性共同使K7P401823M-HC65 成为移动和嵌入式应用中理想的高性能、低功耗内存选择。

K7P401823M-HC65 主要应用于对内存带宽和功耗有严格要求的便携式电子设备和嵌入式系统。最常见的应用场景是高端智能手机和平板电脑，作为主系统内存（RAM）使用，支持流畅的多任务操作、大型应用程序加载以及高清视频播放。由于其高数据传输速率（最高可达3200Mbps）和低工作电压（VDDQ=0.6V），特别适合用于搭载高性能应用处理器（如Exynos、Snapdragon系列）的移动平台，显著提升用户体验。
　　此外，该芯片也广泛用于智能电视、机顶盒和车载信息娱乐系统（IVI）中，为图形渲染、操作系统运行和多媒体解码提供充足的内存资源。在物联网（IoT）领域，尤其是需要边缘计算能力的AIoT设备，如智能摄像头、语音助手中枢和工业网关，K7P401823M-HC65 能够满足图像识别、自然语言处理等算法对快速内存访问的需求。
　　在人工智能和机器学习边缘推理设备中，该芯片常作为神经网络加速器的配套内存，用于缓存权重参数和中间计算结果，提高推理效率。同时，因其具备良好的温度适应性和长期运行稳定性，也可应用于工业控制模块、医疗便携设备和无人机控制系统等对可靠性和能效比要求较高的专业领域。总之，凡是需要在有限功耗预算内实现高性能内存访问的场合，K7P401823M-HC65 都是一个极具竞争力的选择。

K7P34S01CM-HC15
　　K7P44U0ACM-HC15
　　MT53E256M16D1NP-046 WT:B