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GA0805Y391KBABT31G 发布时间 时间:2025/5/22 21:21:41 查看 阅读:14

GA0805Y391KBABT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低功耗并提升系统性能。
  这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,适用于需要高效能和快速开关速度的应用场景。其封装形式紧凑,适合在空间受限的设计中使用。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:4.8A
  导通电阻(典型值):40mΩ
  栅极电荷:27nC
  开关时间:t_on=14ns,t_off=18ns
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装形式:DFN8 3x3mm

特性

GA0805Y391KBABT31G 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可有效减少导通损耗,并提升整体效率。
  2. 快速的开关速度,确保高频应用中的低开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,提供更佳的耐用性和可靠性。
  4. 小型化封装设计,节省电路板空间,满足现代电子产品对小型化的需求。
  5. 支持宽范围的工作温度,适应各种严苛环境条件下的运行需求。
  6. 内置 ESD 保护功能,提高芯片的抗静电能力。

应用

该型号的 MOSFET 主要用于以下应用场景:
  1. 开关电源 (Switching Power Supplies) 和 DC/DC 转换器中的功率开关。
  2. 电机驱动电路,例如步进电机、无刷直流电机 (BLDC) 控制。
  3. 各类负载开关,为便携式设备提供高效的电源管理。
  4. LED 驱动器,支持高亮度 LED 照明系统的稳定运行。
  5. 电池管理系统 (BMS),用于过流保护和充电控制等关键环节。

替代型号

IRF7413, AO3400A

GA0805Y391KBABT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容390 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-