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H27S1G8F2BTR-BC 发布时间 时间:2025/9/1 23:18:14 查看 阅读:4

H27S1G8F2BTR-BC 是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的NAND闪存芯片,容量为1Gbit(128MB),采用小型TSOP封装。该芯片广泛应用于嵌入式系统、消费类电子产品和存储设备中,具有高性能和可靠性。该型号属于SLC(单层单元)NAND闪存,适用于需要较高数据完整性和较长使用寿命的应用场景。

参数

容量:1Gbit(128MB)
  封装:TSOP
  接口类型:ONFI 1.0兼容
  电压:2.7V - 3.6V
  读取速度:最高50MB/s
  写入速度:最高20MB/s
  擦除时间:1ms(典型)
  存储温度:-40°C 至 +85°C
  工作温度:-40°C 至 +85°C

特性

H27S1G8F2BTR-BC 是一款高性能的SLC NAND闪存芯片,具有较长的擦写寿命(通常可达10万次擦写周期),适用于对数据可靠性要求较高的应用场景。该芯片采用了先进的CMOS工艺,具有低功耗、高稳定性和较长的存储寿命。其ONFI 1.0兼容接口使得与主控芯片的连接更加方便,并支持ECC(错误校正码)功能以提高数据完整性。
  此外,该芯片的TSOP封装形式有助于节省PCB空间,适用于便携式电子设备和空间受限的设计。其宽温工作范围(-40°C 至 +85°C)也使其适用于工业级应用环境。H27S1G8F2BTR-BC 还支持坏块管理,能够在出厂时标记出已知的坏块,从而提高系统设计的灵活性和可靠性。

应用

该芯片广泛应用于各类嵌入式系统,如工业控制设备、智能仪表、车载导航系统、手持终端设备和消费类电子产品(如MP3播放器、电子书阅读器等)。由于其SLC NAND的特性,特别适用于需要高可靠性和较长使用寿命的场合,例如工业自动化控制、医疗设备数据存储、POS终端和安防监控设备等。此外,该芯片也常用于需要固件存储和数据缓存的嵌入式系统中,能够有效支持各种嵌入式操作系统和应用软件。

替代型号

K9F1G08U0B-PCB0, MT29F1G08ABBEAWP

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