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2SC3867DI-TL 发布时间 时间:2025/9/7 15:05:27 查看 阅读:3

2SC3867DI-TL 是一款由东芝(Toshiba)制造的NPN型双极性晶体管(BJT),主要用于高频放大和开关应用。该晶体管采用小型表面贴装封装(SOT-23),适合用于需要高性能和紧凑设计的电子设备中。其设计支持高频率操作,适用于射频(RF)和中频(IF)电路中的信号放大。

参数

晶体管类型:NPN型双极性晶体管
  封装类型:SOT-23
  最大集电极-发射极电压(Vce):50V
  最大集电极电流(Ic):100mA
  最大功耗(Ptot):150mW
  过渡频率(fT):250MHz
  电流增益(hFE):110~800(根据工作条件)
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

2SC3867DI-TL 具备优异的高频响应特性,使其成为射频和中频放大器的理想选择。该晶体管的过渡频率(fT)高达250MHz,能够支持高频信号的高效放大。其NPN结构提供了良好的电流增益性能,hFE值可在110至800之间变化,具体取决于集电极电流和工作条件。此外,该器件的最大集电极-发射极电压为50V,允许在较宽的电压范围内使用。采用SOT-23封装形式,不仅体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用,同时也有助于提高热稳定性和快速散热。其最大功耗为150mW,适合低功耗设计需求。2SC3867DI-TL 还具备良好的稳定性和可靠性,适用于工业级温度范围(-55°C至+150°C),确保在极端环境下的稳定运行。
  这款晶体管通常用于便携式通信设备、无线模块、音频前置放大器以及各种高频电子电路中。由于其高频性能和紧凑封装,2SC3867DI-TL 在无线射频前端、小信号放大器和低噪声放大器(LNA)设计中表现出色。同时,其表面贴装封装形式也简化了自动化生产和组装流程。

应用

2SC3867DI-TL 广泛应用于高频电子电路中,如射频放大器、中频放大器、无线通信模块、音频前置放大器等。它适用于需要高频率响应和低功耗设计的场合,例如便携式电子设备、无线传感器网络、射频识别(RFID)系统以及消费类电子产品中的信号放大电路。

替代型号

2N3904, BC547, 2SC2222A

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