制造商：Samsung
　　产品系列：K7K
　　存储类型：同步突发SRAM
　　存储容量：576 Kbit
　　存储组织：16位 × 36位
　　供电电压：3.3V ± 0.3V
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　访问时间：4.0 ns
　　接口类型：并行同步
　　时钟频率最大值：100 MHz
　　封装类型：165-ball FBGA 或 TQFP（依版本而定）
　　引脚数量：根据封装不同为165球或更多
　　输入/输出电平：LVTTL 兼容
　　刷新模式：无需刷新（SRAM特性）
　　写入模式：字节写入或全宽度写入
　　掉电数据保持：不支持（易失性存储器）

K7K1636U2C-EC40 具备多项关键特性，使其在高速存储应用中表现出色。首先，该芯片是一款同步突发静态RAM，所有操作均与时钟信号同步，确保了在高频系统环境下的稳定性和可预测性。它支持突发模式访问，允许连续读取或写入多个相邻地址位置而无需重复提供完整的地址信息，从而显著提升了数据吞吐率。例如，在突发长度为4的操作中，仅需初始地址即可完成四个连续数据单元的快速访问，极大减少了总线占用时间和控制开销。
　　其次，该器件具备低访问延迟，典型访问时间为4.0纳秒，这使得它能够满足对响应速度极为敏感的应用需求，如实时信号处理、高速缓存缓冲等。其内部架构优化了地址译码路径和输出驱动电路，保证了即使在高负载条件下也能维持稳定的输出信号质量。
　　再者，K7K1636U2C-EC40 支持多种省电模式，包括低功耗待机模式（Power-down Mode），在此模式下，芯片核心电源被关闭以降低静态功耗，同时保留存储内容不变。当系统恢复操作时，芯片可在极短时间内重新激活并恢复正常运行，兼顾能效与性能。此外，其输入/输出接口兼容LVTTL电平标准，便于与多种逻辑器件直接连接，无需额外电平转换电路。
　　最后，该SRAM具有优异的抗干扰能力和热稳定性，适用于工业级环境下的长期运行。封装设计考虑了散热效率与PCB布局便利性，有助于提升整体系统的可靠性和可制造性。这些综合特性使K7K1636U2C-EC40 成为高端嵌入式系统和通信设备中理想的高速缓存解决方案。

K7K1636U2C-EC40 主要应用于对数据访问速度和系统响应时间有严格要求的电子系统中。其典型应用场景包括网络通信设备，如千兆以太网交换机、路由器和基站控制器，在这些设备中，该SRAM常用于存储转发引擎的缓冲区、报文队列管理或协议处理中间数据，利用其高速突发访问能力提升数据包处理效率。在电信基础设施中，它也被广泛用于DSLAM（数字用户线路接入复用器）、光传输模块和语音网关，作为信令处理单元的临时存储介质。
　　此外，在工业自动化领域，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）、运动控制卡和人机界面（HMI）设备中，承担高速数据采集缓存或图形帧缓冲功能。其同步接口特性使其易于与FPGA或DSP协同工作，实现高效的数据流管理。在嵌入式系统方面，K7K1636U2C-EC40 可作为微处理器或ASIC的外部高速缓存，弥补片上缓存容量不足的问题，尤其适用于图像处理、音频编码解码和实时控制算法执行等任务。
　　打印机和多功能办公设备也常采用此类SRAM来暂存打印页面描述语言（如PCL或PostScript）解析后的点阵图像数据，确保高速打印过程中不出现断流现象。同时，因其具备良好的温度适应性和长期运行稳定性，该器件还可用于车载信息系统、医疗成像前端处理模块等对可靠性要求较高的场合。总之，凡是需要低延迟、高带宽、易失性存储支持的系统，K7K1636U2C-EC40 都是一个值得信赖的选择。

CY7C1365KV18-450BZXC
　　IDT71V3577S133BF
　　IS61WFV51236BLL-4BLI