时间：2025/9/11 8:07:46
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C5D50065D 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换应用。该器件采用先进的沟槽栅技术和优化的硅工艺设计，以提供低导通电阻、高可靠性和优异的热性能。C5D50065D 特别适用于DC-DC转换器、电源管理、电机控制和工业自动化等高功率应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：650V
漏极电流(Id)：50A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：最大65mΩ
栅极电压(Vgs)：±20V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-247
晶体管配置：单
C5D50065D MOSFET 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这显著降低了导通损耗，提高了整体效率。此外，该器件具有优异的热稳定性和高耐压能力，使其能够在严苛的电气环境中稳定运行。其沟槽栅结构不仅提升了电流处理能力，还优化了开关性能，减少了开关损耗。C5D50065D 还具备快速恢复二极管特性，有助于降低反向恢复损耗，提高系统响应速度。
该MOSFET采用了先进的封装技术，确保了良好的散热性能和机械稳定性，适合长时间高负载运行。其高雪崩能量承受能力也增强了器件在突发过载条件下的可靠性。此外，C5D50065D 设计上考虑了EMI（电磁干扰）控制，有助于减少高频开关应用中的噪声干扰。
C5D50065D MOSFET广泛应用于多种功率电子系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、UPS（不间断电源）、工业自动化设备以及新能源系统如太阳能逆变器和电动汽车充电设备。其高效率和高可靠性使其成为高性能电源管理系统的理想选择。
STW50NK65Z, IPW50R650CFDA
