K7262D 时间：2025/12/27 11:55:27 阅读：22

K7262D是一款由韩国KEC Corporation生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及开关电源等高效率、高频工作的电子电路中。该器件采用先进的平面栅极工艺技术制造，具备较低的导通电阻（RDS(on)）和优良的开关特性，能够在较高的电压和电流条件下稳定运行。K7262D通常封装在TO-252（DPAK）或类似的表面贴装功率封装中，具有良好的热性能和机械稳定性，适合自动化贴片生产流程。该MOSFET设计用于替代传统双极型晶体管，在需要高效能和快速响应的现代电力电子系统中表现优异。其主要优势包括低栅极电荷（Qg）、低输入电容（Ciss），这有助于减少驱动损耗并提高整体系统的转换效率。此外，K7262D具备较强的抗雪崩能力和过载耐受性，适用于工业控制、消费类电源适配器、LED照明驱动及汽车电子等多种应用场景。由于其出色的性价比和可靠性，K7262D成为许多中低端功率应用中的首选器件之一。

参数

型号：K7262D
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：60V
　　连续漏极电流ID：32A（@TC=25℃）
　　脉冲漏极电流IDM：100A
　　栅源电压VGS：±20V
　　导通电阻RDS(on)：28mΩ（@VGS=10V）
　　阈值电压VGS(th)：2.0V ~ 4.0V
　　栅极电荷Qg：26nC（@VGS=10V）
　　输入电容Ciss：1200pF（@VDS=30V）
　　输出电容Coss：350pF
　　反向恢复时间trr：25ns
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

K7262D具备多项优异的电气与热力学特性，使其在中等功率开关应用中表现出色。首先，其低导通电阻RDS(on)仅为28mΩ（在VGS=10V时），显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统效率，特别适用于大电流输出的DC-DC变换器和同步整流电路。该特性还意味着在相同负载条件下产生的热量更少，从而减少了对散热器的需求，有利于小型化设计。
　　其次，K7262D具有较低的栅极电荷（Qg=26nC）和输入电容（Ciss=1200pF），这意味着驱动该MOSFET所需的能量较小，可以使用低功耗的驱动IC实现快速开关动作，有效降低驱动电路的功耗，并提升整个电源系统的动态响应能力。这对于高频工作的开关电源尤为重要，能够减少开关过渡期间的能量损失，抑制电磁干扰（EMI）的产生。
　　再次，该器件拥有良好的热稳定性与可靠性。TO-252封装提供了较大的焊盘面积，便于PCB布线时进行有效的热传导，将芯片内部产生的热量迅速散发到外部环境，避免因局部过热导致性能下降或损坏。其最大结温可达150℃，可在较恶劣的工作环境中长期稳定运行。
　　此外，K7262D具备较强的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态过压或感性负载关断过程中承受一定的能量冲击，增强了系统的鲁棒性。其阈值电压范围为2.0V至4.0V，兼容常见的逻辑电平信号（如5V TTL或微控制器GPIO输出），便于直接驱动，无需额外的电平转换电路。综合来看，K7262D是一款性能均衡、成本效益高的功率MOSFET，适用于多种高效率电源拓扑结构。

应用

K7262D广泛应用于各类需要高效功率开关的电子设备中。典型应用包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、PC电源模块和服务器电源单元，在这些系统中作为主开关管或同步整流管使用，以提高转换效率并减小体积。在DC-DC降压或升压转换器中，K7262D常被用作高端或低端开关元件，尤其适用于3.3V、5V或12V输出的稳压电源设计。
　　在电机驱动领域，该器件可用于直流电机、步进电机或风扇驱动电路中的H桥拓扑结构，凭借其低导通电阻和快速开关特性，实现高效的正反转控制与调速功能。同时，它也适用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，保障锂电池组的安全运行。
　　在LED照明驱动电源中，K7262D可作为恒流源的开关调节元件，支持PWM调光等功能，确保灯光亮度稳定且无闪烁。此外，其在汽车电子系统中也有一定应用，例如车载充电器、车灯控制模块和电动门窗驱动电路等，得益于其宽泛的工作温度范围和较强的抗干扰能力。
　　工业自动化设备、家用电器（如洗衣机、空调压缩机控制）、UPS不间断电源以及太阳能逆变器等也是K7262D的重要应用方向。由于其封装形式为TO-252，易于实现自动化贴片生产，适合大批量制造，进一步推动了其在消费类与工业级产品中的普及。