FW204-TL 时间：2025/9/20 9:39:31 阅读：4

FW204-TL是一款由Fortune Semiconductor（ fortune semi）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽栅极技术制造，专为高效率、高频率开关应用而设计。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、优良的开关特性和较高的电流承载能力，适用于多种电源管理和功率转换场景。FW204-TL通常封装在SOT-23或SOT-323等小型表面贴装封装中，适合空间受限的应用环境。其结构优化了热性能和电气性能，在保证可靠性的前提下实现了紧凑的设计。由于其优异的性价比和稳定性，FW204-TL被广泛应用于便携式电子设备、DC-DC转换器、负载开关、电池管理电路以及电机驱动等场合。该器件符合RoHS环保要求，并具备良好的抗静电（ESD）保护能力，增强了系统在实际使用中的鲁棒性。此外，FW204-TL的工作温度范围较宽，能够在工业级温度范围内稳定运行，适用于大多数消费类和工业类电子产品。

参数

型号：FW204-TL
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：6.5A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：26A
　　导通电阻（RDS(on)）：28mΩ @ VGS=10V, ID=3.25A
　　导通电阻（RDS(on)）：34mΩ @ VGS=4.5V, ID=3.25A
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：560pF @ VDS=15V, VGS=0V
　　输出电容（Coss）：220pF @ VDS=15V, VGS=0V
　　反向传输电容（Crss）：50pF @ VDS=15V, VGS=0V
　　栅极电荷（Qg）：12nC @ VGS=10V
　　功耗（Ptot）：1.4W
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

FW204-TL采用了高性能的沟槽型MOSFET工艺，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了导通损耗，提高了整体能效。其低RDS(on)特性使得器件在大电流条件下仍能保持较低的温升，提升了系统的热稳定性与可靠性。该器件在VGS=4.5V时仍具有较低的导通电阻（仅34mΩ），表明其适用于低电压逻辑驱动的应用，如由3.3V或5V微控制器直接驱动的开关电路，无需额外的电平转换或驱动电路，简化了系统设计并降低了成本。
　　该MOSFET具备快速的开关速度，得益于较小的栅极电荷（Qg=12nC）和输入电容（Ciss=560pF），能够实现高频开关操作，适用于DC-DC变换器、同步整流等对开关损耗敏感的应用场景。同时，较低的反向传输电容（Crss）有助于减少米勒效应的影响，提高抗噪声干扰能力，防止误触发，确保在复杂电磁环境中稳定运行。
　　FW204-TL的热阻特性良好，结合SOT-23小封装仍可实现有效散热，适用于空间受限但需要一定功率处理能力的设计。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其可在恶劣环境下正常工作，满足工业级应用需求。此外，器件内部结构经过优化，具备较强的抗雪崩能力和耐用性，能够在瞬态过压或短路情况下提供一定的自我保护能力，延长使用寿命。
　　该器件还具有良好的栅极氧化层可靠性，支持±20V的栅源电压耐受能力，增强了在电压波动情况下的安全性。综合来看，FW204-TL在性能、尺寸、成本和可靠性之间实现了良好平衡，是中小功率开关应用中的理想选择。

应用

FW204-TL广泛应用于各类中低功率电子系统中，尤其适合对空间和效率有较高要求的便携式设备。在移动电源、智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，常用于电池充放电管理、负载开关控制和电源路径切换，利用其低导通电阻和快速响应特性实现高效的能量传输与管理。
　　在DC-DC转换器拓扑中，如降压（Buck）、升压（Boost）或升降压（Buck-Boost）电路中，FW204-TL可作为主开关管或同步整流管使用，显著降低导通损耗，提升电源转换效率，特别适用于多相供电或高频率工作的电源模块。
　　此外，该器件也适用于LED驱动电路，作为恒流调节或开关控制元件，确保亮度稳定并减少发热。在电机驱动应用中，例如微型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，FW204-TL可用于构建半桥或全桥结构，实现精确的启停和方向控制。
　　工业控制领域中，FW204-TL可用于继电器驱动、传感器电源开关、I/O端口扩展等场合，提供可靠的信号通断功能。其小型封装也使其成为自动化仪表、智能电表、无线传感器网络节点等紧凑型设备的理想组件。
　　总之，凭借其优异的电气性能和封装优势，FW204-TL在消费电子、通信设备、工业自动化和物联网终端中均有广泛应用前景。