时间：2025/8/15 10:53:36
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TSP065SC 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的功率MOSFET晶体管，主要用于高效率的电源管理和开关应用。这款MOSFET采用了先进的技术，提供出色的导通电阻和快速的开关性能，适用于多种高功率密度设计的场景。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：60A
漏极-源极击穿电压（VDS）：65V
导通电阻（RDS(on)）：1.75mΩ（最大值）
封装类型：PowerFLAT 5x6
TSP065SC 是一款性能优异的功率MOSFET，其主要特性包括极低的导通电阻、优异的热性能以及快速的开关速度。这款MOSFET的导通电阻低至1.75mΩ，能够在高电流负载下保持较低的功耗，从而提升整体效率。此外，其采用的PowerFLAT 5x6封装提供了更小的占板空间和良好的散热性能，使其在紧凑型设计中表现优异。
TSP065SC 还具有高雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过载条件下提供可靠的保护。其优化的栅极设计减少了开关损耗，同时提高了抗干扰能力，确保了稳定的操作性能。该器件的工作温度范围广泛，可在-55°C至175°C之间正常运行，适用于严苛的工业和汽车应用环境。
另外，TSP065SC 采用了符合RoHS标准的环保材料，不含铅和卤素，满足现代电子产品对环保的要求。其强大的电流处理能力和优异的可靠性，使其成为电源转换、电池管理系统、电机控制等应用的理想选择。
TSP065SC 主要应用于高效电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、电池充电器、电机驱动电路以及工业自动化设备等领域。它也非常适合用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及车身控制模块。
IPD65R019C7, FDP065N06LC
