容量：8Mbit（1M x 8）
　　电源电压：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：55ns
　　封装类型：100-TQFP
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　数据保持电压：最低1.5V
　　最大工作电流：约180mA（典型值）
　　封装尺寸：14 x 14 mm

K6X8008C2B-TQ55 SRAM芯片具有多个显著的性能特性，使其在高性能存储应用中表现出色。首先，该芯片具备高速访问能力，其访问时间仅为55纳秒，能够满足对数据读取和写入速度有严格要求的应用需求。其次，该芯片支持宽电压范围供电（2.3V至3.6V），提供了良好的电源兼容性，并支持低功耗运行模式，适合便携式设备和对功耗敏感的设计。此外，K6X8008C2B-TQ55采用100引脚TQFP封装，体积小巧，便于在紧凑的PCB布局中使用，同时具备工业级温度范围（-40°C至+85°C），确保其在严苛环境下的稳定运行。芯片还支持数据保持模式，在低电压或待机状态下可维持存储数据，适用于需要长期数据保持的应用场景。最后，该SRAM芯片具备高抗干扰能力和稳定性，适用于高可靠性系统如工业控制、通信设备和嵌入式系统。
　　在设计方面，K6X8008C2B-TQ55支持异步操作模式，允许与多种类型的控制器和主处理器无缝连接。其地址和数据总线独立控制，使得设计更加灵活，适用于多种系统架构。同时，该芯片具备低待机电流，有助于延长电池供电设备的续航时间。此外，三星在SRAM芯片制造方面拥有丰富的经验，确保该芯片在质量和性能方面均达到高水平。

K6X8008C2B-TQ55 主要应用于需要高速存储和低功耗特性的电子系统中。典型应用包括：工业控制系统、通信设备（如路由器和交换机）、嵌入式系统、测试与测量设备、视频采集与处理设备、手持终端设备以及高性能数据采集系统。此外，该芯片也可用于需要临时数据存储和高速缓存的微控制器系统中，如图像处理、网络协议处理等场景。由于其支持宽电压和宽温度范围，该芯片非常适合用于恶劣环境下的工业和通信设备中。

K6X8008C2B-TQ70 K6X8008C2B-TQ55-10 K6X8008C2BP-TQ55 CY62148E SRAM芯片 AM621081 SRAM芯片