K9K4G08 时间：2025/7/19 1:27:50 阅读：3

K9K4G08 是由三星（Samsung）生产的一款NAND闪存芯片。这款芯片属于非易失性存储器（NVM），主要用于需要大容量数据存储的应用，例如固态硬盘（SSD）、存储卡、嵌入式系统等。K9K4G08 的存储容量为4Gbit（512MB），采用8位并行NAND接口，支持高速数据读写操作。该芯片具有较高的可靠性和耐用性，适用于消费类电子产品和工业级应用。

参数

容量：4Gbit (512MB)
　　电压范围：2.7V - 3.6V
　　接口类型：8位并行NAND
　　读取速度：最高可达50ns
　　写入速度：最高可达50ns
　　擦除速度：最高可达2ms
　　封装形式：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

K9K4G08 是一款高性能的NAND闪存芯片，具有优异的读写速度和稳定的存储能力。其8位并行NAND接口设计使其能够快速地进行数据传输，适用于对速度要求较高的应用场景。此外，该芯片采用了先进的CMOS工艺制造，功耗低，并具备良好的抗干扰能力和稳定性。
　　在可靠性方面，K9K4G08 支持错误校正码（ECC）功能，能够在数据读取过程中自动检测和纠正错误，从而提高数据的完整性。它还支持坏块管理功能，能够在芯片使用过程中自动标记和跳过损坏的存储块，以延长芯片的使用寿命。
　　该芯片的封装形式为TSOP，这种封装方式具有较小的体积和良好的散热性能，适合用于紧凑型电子设备中。此外，K9K4G08 的工作温度范围较宽，能够在-40°C至+85°C的环境下稳定工作，因此适用于各种工业级和消费类电子产品。

应用

K9K4G08 主要应用于需要大容量非易失性存储的设备中，例如SD卡、CF卡、USB闪存盘、MP3播放器、数码相机等消费类电子产品。此外，它也可用于工业控制系统、嵌入式系统、车载导航设备等对存储性能和可靠性有一定要求的领域。由于其高速读写能力和良好的稳定性，K9K4G08 也常用于固态硬盘（SSD）等需要频繁读写操作的设备中。