时间：2025/12/26 9:33:01
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DMN2501UFB4-7是一款由Diodes Incorporated生产的高性能、低电压、单通道P沟道MOSFET，采用先进的TrenchFET技术制造。该器件专为需要高效率和小尺寸封装的应用而设计，适用于便携式电子产品和空间受限的电路板布局。其小型化的封装形式（如DFN1006-3或类似超小型封装）使其成为电池供电设备的理想选择，例如智能手机、可穿戴设备、物联网终端以及各类低功耗电源管理模块。该MOSFET具有极低的导通电阻（RDS(on)），能够在有限的空间内实现高效的开关操作和较低的功率损耗，从而提升系统整体能效。此外，DMN2501UFB4-7具备良好的热稳定性和可靠性，在宽温度范围内保持稳定的电气性能，适合在工业级工作温度环境中长期运行。该器件符合RoHS环保标准，并通过了多项国际质量认证，确保其在自动化贴片生产和恶劣使用环境下的稳定性与一致性。
型号：DMN2501UFB4-7
类型：P沟道MOSFET
连续漏极电流（ID）：-1.8A
漏源击穿电压（V(BR)DSS）：-20V
栅源阈值电压（VGS(th)）：-0.8V ~ -1.2V
导通电阻（RDS(on)）max @ VGS = -4.5V：65mΩ
导通电阻（RDS(on)）max @ VGS = -2.5V：95mΩ
导通电阻（RDS(on)）max @ VGS = -1.8V：130mΩ
栅极电荷（Qg）：典型值约1.6nC
输入电容（Ciss）：约220pF
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
封装形式：DFN1006-3（1mm x 0.6mm 超小型无引线封装）
安装方式：表面贴装（SMD）
通道数：1
符合RoHS标准：是
DMN2501UFB4-7采用先进的TrenchFET工艺技术，显著降低了导通电阻并提升了器件的开关速度。其在低栅极驱动电压下仍能实现优异的导通性能，支持1.8V逻辑电平控制，兼容现代低电压数字控制器输出信号，适用于电池供电系统中对能效要求严苛的场合。该器件具有极低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），有效减少开关过程中的动态损耗，提高DC-DC转换器或负载开关的工作效率。
由于采用了超小型DFN1006-3封装，该MOSFET占用PCB面积极小，有助于实现高密度电路集成，特别适合用于智能手机内部的电源路径控制、LED背光驱动或USB端口的过流保护等场景。封装底部设有散热焊盘，可通过PCB敷铜进行高效散热，增强热传导能力，延长器件寿命。
该器件具备出色的雪崩耐受能力和抗静电（ESD）性能，增强了系统在瞬态干扰下的鲁棒性。同时，其P沟道结构常用于高端开关配置，在电源关断和负载切换应用中表现出快速响应和低静态电流的优点。产品经过严格的筛选和测试，保证批次一致性和长期可靠性，广泛应用于消费类电子、移动设备及工业传感器等领域。
主要用于便携式电子设备中的电源管理单元，如手机、平板电脑和智能手表中的电池连接器开关、LDO旁路控制、充电路径管理等；也可作为负载开关用于切断未使用模块的供电以节省能耗；常见于低压DC-DC转换电路中作为同步整流或高端开关元件；适用于LED驱动电路中的开关控制；还可用于热插拔保护、USB OTG电源切换以及各类需要小型化、高效率P沟道MOSFET的嵌入式系统设计中。
[
"DMG2301U",
"DMP2001UFG-7",
"FDMC8601",
"SI2301DS",
"RTQ2003"
]
